| 研究課題/領域番号 |
11450015
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
朝日 一 大阪大学, 産業科学研究所, 助教授 (90192947)
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| 研究分担者 |
浅見 久美子 大阪大学, 産業科学研究所, 助手 (40110770)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
7,700千円 (直接経費: 7,700千円)
2001年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
2000年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
1999年度: 5,900千円 (直接経費: 5,900千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 多結晶半導体 / ガスソースMBE / フォトルミネッセンス / ドーピング / 非晶質基板 / 酸化物基板 / フォトニクス |
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| 研究概要 |
プラズマ励起の窒素ガスを用いたガスソースMBE法により非晶質の石英ガラス上に成長した多結晶GaNは、強いフォトルミネセンス(PL)発光を示すことを見出した。n形p形の伝導形の制御もできることを確認し、低価格・大面積の発光デバイスへの応用可能性を指摘し、実際にp-n接合を持つ多結晶GaNを成長し、ダイオード特性を持つことを確認した。多結晶GaNのPL発光の起源は、励起子発光であることを確認した。さらに、Mo, W, Ta, Nbの多結晶金属基板上に成長したGaNは強いPL発光を示し、多結晶GaN/金属接合は、金属の種類により整流特性、または、オーミック特性を示した。アンモニア・ソースMBE法により、より強いPL発光を示す成長条件が存在することを見出した。金属基板上多結晶GaN pn接合においてダイオード特性を確認し、フレキシブルなGaN系デバイスの作製の可能性を示した。磁性酸化物LaSrMnO_3上成長多結晶GaNにおいても、強いPL発光を確認した。新機能デバイスへの展開の可能性を示した。金属Mo基板上多結晶GaNにおけるオーミック特性を利用した電界電子放出の実験において良好なエミッション特性が得られた。高性能ディスプレイへの展開が期待される。
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