| 研究課題/領域番号 |
11450119
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
藤原 康文 名古屋大学, 工学研究科, 助教授 (10181421)
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| 研究分担者 |
田渕 雅夫 名古屋大学, 工学研究科, 講師 (90222124)
中村 新男 名古屋大学, 理工科学総合研究センター, 教授 (50159068)
竹田 美和 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20111932)
野々垣 陽一 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (40300719)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
13,600千円 (直接経費: 13,600千円)
2001年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
2000年度: 3,800千円 (直接経費: 3,800千円)
1999年度: 8,000千円 (直接経費: 8,000千円)
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| キーワード | ランタノイド化合物 / 半金属 / 半導体低次元量子構造 / 原子層制御成長 / 量子効果 / 半金属-半導体転移 / 半金属―半導体転移 |
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| 研究概要 |
本研究では、従来より取り組んでいる「原子層制御スーパーヘテロエピタキシャル技術」を再点検し、ランタノイド化合物(半金属)/半導体低次元量子構造を原子層レベルの精度で精密作製することを主な目的とする。
現在のところ、InP(半導体:閃亜鉛鉱型結晶構造)基板上へのErP(半金属:岩塩型結晶構造)およびErP上へのInPの原子層制御スーパーヘテロエピタキシャル成長に取り組んでる。
これまでの研究において、以下の知見を得た。
1.ErP形成にあたり、最適なEr原料が存在することを明らかにした。たとえば、Er(DPM)_3(trisdipivaloymethanatoerbium)を用いてErP成長を行った場合、明らかな表面形態の変化が観察されたが、蛍光X線測定より、表面付着層にはErが全く含まれなかった。
2.選択成長法により各種基板面((001),(011),(111)A,(111)B)にErP成長を行った。(111)Bにおいて、平坦な島状成長が観測され、局所的に2次元成長が得られた。
3.InP/ErP/InP積層構造の作製において、ErP上に成長したInPが(001)基板上では島状成長するのに対し、(111)B基板上では層状成長した。
4.格子整合度が極めて良いDyP/GaAs積層構造の作製に先立ち、有機Dy原料としてDy(MeCp)_3(trismethylcyclopentadienyldysprosium)を用い、各種III-V族半導体へDy添加を行った。成長層中のDyが均一に添加されていること、また、その濃度はDy原料を通過する水素流量により制御できることを明らかにした。また、GaAsにおいて、Dy^<3+>イオンの4f殻内遷移に起因する特徴的な発光が観測された。半導体におけるDy発光の観測は世界で最初のものである。
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