| 配分額 *注記 |
11,700千円 (直接経費: 11,700千円)
2001年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2000年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
1999年度: 7,800千円 (直接経費: 7,800千円)
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| 研究概要 |
GMR膜をベースに用いる3端子構造の膜を,初めは手作りの金属マスク,後半ではフォトリソグラフィとイオンミリングにより作製した。作製した試料で電気伝導特性,磁気特性を測定したところ磁界を印加すると大きな電流変化を得ることができ,ベース/コレクタ間の電圧をコントロールすることにより1000%以上の大きな電流変化率が生じることが明らかになった。電流の磁界依存性はGMR素子の磁化状態を反映した変化を示し,最大磁界での電流値はバイアス電圧を減少させることで単調に減少していることが分かった。この変化は理論的には無限大の変化率を得ることができる。この現象をバイアス電圧依存性,エミッタ電流依存性,また,電流源を電圧源に替えて検討した結果,一つの説明として,CIP-GMRによるインピーダンスの変化により垂直方向の分流分の電流そのものの変化を観測しているのではないかと考えられた。
また,非磁性の絶縁膜を用いることと,微細加工時の磁気特性の劣化から,反強磁性膜を見直した。その結果,FeMnにPtを添加することにより,耐熱性などを大きく改善できることが明かとなった。
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