| 研究課題/領域番号 |
11450247
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 長岡技術科学大学 |
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研究代表者 |
斉藤 秀俊 (斎藤 秀俊 / 齋藤 秀俊) 長岡技術科学大学, 工学部, 助教授 (80250984)
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| 研究分担者 |
大塩 茂夫 長岡技術科学大学, 工学部, 教務職員 (90160473)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
10,900千円 (直接経費: 10,900千円)
2001年度: 3,800千円 (直接経費: 3,800千円)
2000年度: 4,000千円 (直接経費: 4,000千円)
1999年度: 3,100千円 (直接経費: 3,100千円)
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| キーワード | マイクロアーキテクチャー / ウイスカー / CVD / ZnO / MgO / Y2O3 / 冷陰極 / 蛍光体 / Y_2O_3 / エピタキシー / ヘテロ / Al / ナノインデンテーション / 配向 / SEM / X線回折 |
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| 研究概要 |
大気開放型化学気相析出(CVD)法を利用するとセラミックスのミクロ構造制御が可能になる。例えば、酸化物結晶〓ター単位で制御されたウイスカー形状構造、網目形状構造などの構造体を形成することができる。このような技術〓膜のマイクロアーキテクチャーと定義する。マイクロアーキテクチャーを利用すると電子放出素子、構造材料、さら〓展開などいろいろな応用を発想することができるため、本研究ではそれらを実現した。本研究では、次の構造体〓得られた。
(1)ZnO、MgO、Y203ウイスカーの製造 ZnO、MgO、Y203ウイスカーの製造方法を確立した。
(2)MgO/ZnOヘテロウイスカー ZnOウイスカー上にMgOウイスカーをエピタキシエピタキシャル成長させたところ、すべての結晶方位軸が規則〓ヘテロウイスカーであることがX線回折学的に証明された。
(3)蛍光体ウイスカーの蛍光特性 分光装置を利用してY203:Eu, Tb, Tmウイスカーの蛍光特性を測定したところ、ウイスカー状態の蛍光特性は単〓体の蛍光特性を上回った。1.5〜2倍程度の蛍光強度を示した。
(4)電子放射 ZnO : Al導電性ウイスカーを形成し冷陰極を形成したところ、きわめて高い電子放射能を示した。ウイスカー先端〓は10〜20nmと小さいことが理由である。
(5)ZnO : Al導電性ウイスカー強度 ZnO : Al導電性ウイスカーのアルミニウム量を変化したところ、0.2~1.0at%では曲げ強度が落ちたものの、1.0at%以〓ミニウム量に応じて急激に曲げ強度が大きくなった。
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