| 研究課題/領域番号 |
11555086
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 金沢大学 |
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研究代表者 |
畑 朋延 金沢大学, 工学部, 教授 (50019767)
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| 研究分担者 |
岡田 修 アネルバ(株), 開発研究所, 所長代理
佐々木 公洋 金沢大学, 工学部, 助教授 (40162359)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
13,200千円 (直接経費: 13,200千円)
2001年度: 3,100千円 (直接経費: 3,100千円)
2000年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
1999年度: 7,700千円 (直接経費: 7,700千円)
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| キーワード | スパッタリング / 薄膜 / 金属モード / 高誘電率材料 / 制限反応 / ZrO_2 / MOSFET / フラッシュ蒸着法 / エピキシャル成長 / β-FeSi_2 / 人工超格子 / ヘテロエピタキシャル / フラッシュ蒸着 / SiGe / イオンプレーラィレグ / ヘテロエピタキシャル成長 / 反応性スパッタリング / イットリア安定化ジルコニア / S:Ge(シリコンゲルマニウム) |
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| 研究概要 |
制限反応スパッタリングと名付けた新しいスパッタリング法を研究開発した.この技法を用いて,次世代MOSFET用ゲート絶縁膜としてZrO2誘電体膜を形成した.Si基板表面の酸化が抑制され20を越える高い比誘電率が得られた.酸化物ターゲットを用いた通常のスパッタリング法では酸素イオンや活性種が励起されSi基板は直ちに酸化してしまうが,この堆積法では,そのような酸化種が発生しないので,Si基板とその上の堆積膜の界面は急峻に形成できる.
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