| 研究課題/領域番号 |
11555093
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
山田 明 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教授 (40220363)
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| 研究分担者 |
櫛屋 勝巳 昭和シェル石油, 中央研究所, チームリーダ
岡本 保 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助手 (80233378)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2000
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| 研究課題ステータス |
完了 (2000年度)
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| 配分額 *注記 |
13,300千円 (直接経費: 13,300千円)
2000年度: 6,500千円 (直接経費: 6,500千円)
1999年度: 6,800千円 (直接経費: 6,800千円)
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| キーワード | ZnO / Cu(InGa)Se_2 / 太陽電池 / バッファ層 / 高効率 / In(OH,S):Zn^<2+> |
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| 研究概要 |
本研究では、高効率Cu(InGa)Se_2薄膜太陽電池を開発するためにバッファ層に着目した。従来このバッファ層には、CdSが用いられてきた。ここでは、このCdSに代わり、資源的に豊富であり、また環境負荷が少ないZn化合物であるZnOに注目した。その結果、以下に示す成果が得られた。
1.原子層成長(ALD)法によるZnO薄膜の作製を行い、製膜時の成長条件を制御することで、10kΩcm台の抵抗率を有する高抵抗ZnO薄膜が成長可能であることを見いだした。
2.ALD法による高抵抗ZnOをCu(InGa)Se_2太陽電池のバッファ層に応用することにより、変換効率13.1%を達成した。
3.新しいプロセスとして、CIGS作製後にZnを照射することを試みた。これにより、n形ドーピングが起こり、埋め込み型np接合が形成され太陽電池の変換効率が向上するとの知見を得た。
4.Znを用いた新型バッファ層として溶液成長法によるIn(OH,S):Zn^<2+>を新たに考案した。これは、Sパッシベーションによる表面欠陥密度の低減、Sの拡散による表面禁制帯幅の向上、Znの拡散による埋め込み型pn接合の形成を同時に狙ったものである。
5.In(OH,S):Zn^<2+>は目視で透明であり、波長400nm以下の領域でも吸収がなく、抵抗率も2.1×10^8Ωcmと高く、Cu(InGa)Se_2太陽電池のバッファ層として適用可能な特性を有していることを明らかにした。
6.In(OH,S):Zn^<2+>をバッファ層に用いることにより、初期的段階ながら、変換効率13.7%のCu(InGa)Se_2太陽電池の作製に成功した。
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