研究課題/領域番号 |
11555105
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 展開研究 |
研究分野 |
計測工学
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研究機関 | 東北大学 |
研究代表者 |
角田 匡清 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (80250702)
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研究分担者 |
釆山 和弘 シャープ(株), 精密技術開発センター, 研究員
高橋 研 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70108471)
采山 和弘 シャープ(株), 精密技術開発センター, 研究員
うね山 和弘 シャープ株式会社, 精密技術開発センター, 研究員
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研究期間 (年度) |
1999 – 2000
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研究課題ステータス |
完了 (2000年度)
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配分額 *注記 |
13,600千円 (直接経費: 13,600千円)
2000年度: 6,800千円 (直接経費: 6,800千円)
1999年度: 6,800千円 (直接経費: 6,800千円)
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キーワード | 人工格子 / 薄膜 / 磁気抵抗効果 / 磁界センサー / 不純物ガス / 極高真空 / スパッタリング / センサー |
研究概要 |
金属人工格子薄膜のGMR効果の磁界センサーへの応用には、飽和磁界強度の低減による高感度化が必要不可欠である。飽和磁界強度等の人工格子薄膜の物性は薄膜の微細構造に強く依存しているが、スパッタ成膜プロセスには、薄膜微細構造との相関の観点から、未だに充分に解明・制御されていない要素も多い。特に成膜雰囲気中の不純物が果たす役割に付いては不明な点が多く、不純物制御雰囲気スパッタ法が、薄膜微細構造の新たな制御方法と成り得る可能性は極めて高い。本研究は、酸素、水分、窒素といった不純物がCo(-Fe)/Cu金属人工格子薄膜の微細構造に及ぼす影響を解明することを通じて、新たな微細構造制御法の確立と、それに基づく人工格子型高感度磁界センサーの開発を目的とした。 成膜プロセス中に残留している不純物の影響を明確化するために、成膜プロセス前のスパッタリングチャンバーの到達真空度を変化させ、若しくは、一旦極高真空領域(10^<-11>Torr)まで真空排気した後に不純物ガスを添加し、その時作製されたCo/CuならびにCo-Fe/Cu人工格子薄膜の巨大磁気抵抗効果と、微細構造(特に積層界面の平坦性)との相関について検討を行った。その結果、不純物酸素が分圧5×10^<-8>Torr存在した場合、Co/Cu人工格子薄膜の結晶粒の微細化が生じ、積層界面の平坦化が起こるために、GMR効果の増大が観測されることが明らかとなった。 磁界感度の高感度化を意図し、磁性層膜厚の増大を検討した結果、強磁性層それぞれの磁気異方性の影響により、零磁界における磁化の反平行配列が妨げられ、磁気抵抗変化率が低下することが明らかとなった。高感度化のためには、窒素あるいは硼素などの添加による強磁性層の軟磁気特性の向上が不可欠であることが判った。
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