| 研究概要 |
本研究は,アブレーションプルーム中微粒子の外部電磁界による発生・成長・挙動の制御を目的としている。昨年度までに,外部磁界による,薄膜上に堆積される微粒子(ドロッフレット)の密度の減少に成功した。本年度は,パルスレーザデポジション法により3インチ以上の大面積基板上に均一な薄膜が作成可能であることを明らかにした。さらにこの方法を用いて様々な薄膜の作製を行った。本年度作製した薄膜は,SiC, cBN, CN, SnO_2など様々など多岐にわたった。SiC薄膜の作製では,これまで困難であった基板温度800度における結晶性SiC薄膜の作製に成功した。cBN薄膜の作製では,イオンビームやバイアス電圧を加えることにより,hBNターゲットを用いた場合でもcBN薄膜の作製が可能であることを明らかにした。CN薄膜の作製でも同様に,イオンビームやバイアス電圧を加えることにより,Cターゲットを用いて,C-N結合を含む薄膜の作製が可能であることを明らかにした。ガスセンサに用いられるSnO_2薄膜の作製にも成功し,高い結晶性を持つ薄膜ガスセンサの作製に成功した。また,この薄膜を用いてセンサ特性の計測も行っており作製条件によっては十分な感度が得られることが分かった。
以上の成果は,JJAP(日)やThin Solid Films(米)等のジャーナルに報告し,従来得られなかった重要な知見を得たものとして,世界的に高い評価を得た。今後は本年度できなかった,プラズマプルーム中の発光種やラジカル分布,微粒子の発生・成長・挙動の様子をゲートを付けたICCDカメラによりin-situ測定し,その発生・成長機構を定量的に解明すること行う予定である。
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