| 研究課題/領域番号 |
11640329
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
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| 研究機関 | 室蘭工業大学 |
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研究代表者 |
永田 正一 室蘭工業大学, 工学部, 教授 (80155936)
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| 研究分担者 |
戎 修二 室蘭工業大学, 工学部, 助手 (10250523)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2000
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| 研究課題ステータス |
完了 (2000年度)
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| 配分額 *注記 |
3,600千円 (直接経費: 3,600千円)
2000年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
1999年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
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| キーワード | CuIr_2S_4 / 単結晶育成 / 金属-絶縁体転移 / スピネル型硫化物 / 5d-電子 / 結晶変態 / 磁化率 / 電気抵抗率 / Cu Ir_2 S_4 |
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| 研究概要 |
正スピネル構造をもつイリジウム新硫化物CuIr_2S_4は、約230Kで結晶変態を伴う急激な金属-絶縁体転移を示すことを我々の研究室で発見した。金属-絶縁体転移の機構解明に資する精密な実験を遂行するために、長年の課題である良質単結晶を育成することに鋭意取り組んできた。その結果、本研究プロジェクトにおける研究費支援の下に初期の目的を順調に達成することができた。フラックス法を基本とした種々の工夫により、単結晶を育成することに初めて成功した。約1mm角の大きさの黒色で金属光沢のある8面体をした美しい単結晶が得られた。単結晶試料では、金属-絶縁体転移において磁化率に現れる異常性が、粉末の場合と比較してシャープになることが明らかになった。現在、フランスのグルノ-ブルの研究所にて我々の育成した単結晶を用いて精密な結晶構造解析の実験が行われている。さらに、光電子分光等の実験や、ラマン散乱の実験が実施されている。転移の機構解明に関する本格的研究としての第二段階に導くことができた。なお、関連物質としてCuTi_2S_4、CuVTiS_4、CuCr_2S_4、CuCr_2Se_4の単結晶育成にも気相化学輸送法により成功している。
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