| 研究概要 |
1.2-(メチルチオ)ジメチルホスフィノエタンなどの(P,S)混合二座配位子を新たに合成し、これらを含む11種の新規ルテニウム(II)錯体を合成した。X線結晶解析およびNMRスペクトルの解析によって、構造や性質を明らかにした。
2.ベンタン-2,4-ジオナトとメチル-フェニル置換単座ホスフィンを含むCo(III)系列錯体を合成し、X線結晶解析およびNMRスペクトルの解析によって、構造や性質を明らかにした。
3.1,3-ビス(ジメチルホスフィノ)プロパンのCo(II)錯体に対する単体硫黄とセレンの酸化的付加反応を行い、X線結晶解析によって生成物の構造を決定した。
4.1,1,1-トリス(ジメチルホスフィノメチル)エタンと1,4,7-トリチアシクロノナンを用いてCo(II)P6およびCo(II)P3S3型錯体を電気化学的に合成し、EPRおよび電子スペクトルの解析によって珍しい低スピン型錯体であることを明らかにした。
5.二座および三座トリアルキル型ホスフィンを用いて、17種の新規クロム(III)ホスフィン錯体を合成した。これらの電子スペクトルを解析してホスフィンの配位子場強度を算出した。
6.2-(ジメチルホスフィノ)エタン-1-チオラートを含む新規Ti(III)およTi(IV)錯体を合成した。X線結晶解析およびNMRスペクトルの解析によって、構造や性質を明らかにした。
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