| 研究課題/領域番号 |
11650003
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 宇都宮大学 |
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研究代表者 |
中井 俊一 宇都宮大学, 工学部, 教授 (70081429)
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| 研究分担者 |
山崎 貴史 (株)三井金属, 総合研究所, 研究員
柏倉 隆之 宇都宮大学, 工学部, 助手 (90261817)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
3,700千円 (直接経費: 3,700千円)
2001年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2000年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
1999年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
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| キーワード | Mnシリサイド / Si表面,界面 / 軟X線発光スペクトル / 共鳴逆光電子スペクトル / 薄膜成長 / 界面電子状態 / シリサイド / シリコン界面 / 逆光電子スペクトル / X線電子スペクトル / X線光電子スペクトル |
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| 研究概要 |
最初にMnを蒸着する前の段階として、Si基板そのものからの軟X線発光スペクトルの測定を行った。具体的にはSiの3p価電子帯から内殻1s準位への電子遷移にともなって発光するk_βスペクトルの精密測定、特に試料表面からのX線取り出し角θt依存性を測定した。その結果、θtが2°の時はSi基板本体バルクのスペクトルが観測され、バンド計算の結果と良い一致を示す結果が得られた。θtをX線の全反射角度に近い0.5°に設定した時は、Si表面のSiO2層からのスペクトルが明瞭に観測された。θtが上記の中間である1°,1.5°においてはSiとSiO_2の界面の電子状態を反映したスペクトルが観測された。この場合、Si3pメインピークのエネルギーシフトが観測され、半導体界面におけるバンドオフセットのモデルで解析できると思われる。このような軟X線発光スペクトルの測定から非破壊的に界面の電子構造についての知見が得られることを本研究において初めて確認することができ、今後の界面電子状態の研究の進展が期待できる成果が得られた。続いてMnSi/Si系についてSiK_βスペクトル、MnL_αスペクトルの測定を上記実験と同じく、X線取り出し角度θtを変えて行った。結果から、MnSi/Si界面の電子構造に関する直接的な情報を得ることに成功した。
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