| 研究課題/領域番号 |
11650006
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
島田 敏宏 東京大学, 大学院・理学系研究科, 講師 (10262148)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1999 – 2000
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2000年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,700千円 (直接経費: 3,700千円)
2000年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
1999年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
|
|---|
| キーワード | 変調分子線散乱法 / 有機薄膜 / 結晶成長 / フタロシアニン / Alq3 / C60 / 異性体 / ファンデアワールス / 変調分子散乱法 / 変調分子線 / 有機分子 / エピタキシャル成長 / 選択成長 / 表面拡散 / 量子まさつ / パルス分子線 / 薄膜成長制御 |
|---|
| 研究概要 |
本研究では、申請者が開発した変調有機分子線散乱装置を駆使して有機薄膜成長の動的過程を追及し、さらに基板および有機膜表面の分子吸着を利用して新しい有機結晶成長制御法を確立することを目的として研究を行った。
1.分子の表面滞在時間の測定による分子・基板相互作用の定量的測定
H_2Pc、C_<60>のパルス分子線を様々な無機基板に照射し、散乱される分子の時間分布を測定した。その結果、滞在時間には顕著な分子と基板物質依存性があることが明らかになった。基板物質依存性はイオン結晶性絶縁物>金属>アモルファスのようになっており、分子と基板の相互作用を反映しているものと考えられる。特にアモルファス表面上で滞在時間が小さくなっている理由は分子の電荷分布と基板の電荷分布の整合が影響する、いわゆる量子摩擦に関係している可能性がある。
2.パルス分子線による結晶成長の制御法の開発
パルス分子線を用いて結晶成長を行ったところ、パルス幅に対応して結晶成長初期の核形成頻度が変化する現象が観察された。デューティ比が同じであってもこの現象は見られたが、分子に異方性がある場合は、パルス幅に対して核生成頻度に極小が見られた。これは、表面上を動き回る分子が相互に衝突することによって脱離がおこる過程が関与していることを理論的に解明した。
3.Alq3エピタキシャル薄膜の成長と構造解析
Alq3は電界発光素子などに多用される分子であるが、その異性体についてはわかっていなかった。アルカリハライド(001)表面上にAlq3を超薄膜成長させることにより初めてエピタキシャル成長に成功した。高感度電子線回折により特異な3倍周期構造を見出し、その詳細な解析によりmer異性体の薄膜ができていることがわかった。この系は緻密な単分子層形成後に針状結晶が形成されるため、結晶成長制御の観察には適した系である。変調分子線との組み合わせた実験に期待が持たれる。
|
