| 研究課題/領域番号 |
11650013
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 豊橋技術科学大学 |
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研究代表者 |
若原 昭浩 豊橋技術科学大学, 工学部, 助教授 (00230912)
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| 研究分担者 |
吉田 明 豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (20023145)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
3,600千円 (直接経費: 3,600千円)
2001年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2000年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
1999年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | 窒化物混晶半導体 / 有機金属気相成長法 / 組成不均一構造 / 組成不均一 / リモートプラズマ / 有機金属気相エピタキシー |
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| 研究概要 |
InAlGaN窒化物半導体混晶の相分離現象の解明とその制御を目指して、GaNエピタキシャル成長基板上にGaNに格子整合するIn組成付近のInAlN混晶および、InAlGaN混晶を成長させ、成長条件を変化させてその組成の揺らぎをX線回折により、バンドギャップの組成依存性を光透過・吸収測定および光伝導度測定により調べた。この結果、以下のことが明らかとなった。
1)InAlN層中へのInの取り込みは、In組成の低い領域ではほぼ100%であるが、In組成が0.2を越えると飽和傾向を示す。
2)XRD測定からは、In組成の増大に伴い組成揺らぎが増大する。格子不整合するIn組成(x=0.17)では、比較的結晶性が良好で組成の均一性が高い。
3)InAlN混晶の光伝導度測定を用いて測定した禁制帯幅は、In組成が0.1〜0.23の範囲では、GaNより大きく、GaNより小さいとする従来の報告例と大きく異なることが分かった。
4)カソードルミネッセンス測定より、本研究で作製したInAlN混晶層は、大きく分けて2つの組成をもつ領域が存在していることが分かった。
以上の結果を踏まえて、本研究をさらに発展させ、超格子構造、あるいは多重量子井戸構造の採用による相分離抑制と、格子整合系量子構造の実現を目指していく。
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