| 研究課題/領域番号 |
11650314
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
工藤 一浩 千葉大学, 工学部, 教授 (10195456)
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| 研究分担者 |
国吉 繁一 千葉大学, 工学部, 助手 (30092050)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2000
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| 研究課題ステータス |
完了 (2000年度)
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| 配分額 *注記 |
3,500千円 (直接経費: 3,500千円)
2000年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
1999年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
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| キーワード | 静電誘導トランジスタ / 電界効果トランジスタ / 複合型有機発光トランジスタ / 光サイリスタ / 有機ディスプレイ / 有機半導体 / ショットキーゲート / 真空蒸着膜 / 分子トランジスタ / 有機超薄膜 / 銅フタロシアニン / メロシアニン |
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| 研究概要 |
本研究では、有機系ディスプレイ駆動用素子として有機半導体材料と埋め込み型ゲート電極を用いた静電誘導型トランジスタ(Static Induction Transistor:SIT)を作製し、その基礎的特性について調べた。有機発光素子(EL素子)の正孔輸送層として広く用いられているTPDとα-NPDを有機半導体層として、ゲート電極としてアルミニウム(Al)蒸着膜は用いた結果、良好なショットキー障壁を形成することを確認した。また、α-NPD/Alショットキー接合は比較的安定な特性であったが、TPD/Al接合は試料作成後に特性が不安定になることが判明した。また、透明電極(ITO)基板をソース電極、ドレイン電極として金(Au)蒸着膜、金属メッシュを蒸着マスクとしてAlゲート電極を形成したSIT素子(ITO/α-NPD/Al/α-NPD/Au)を作製した。このSIT素子の静特性を測定結果を調べた結果、ソース・ドレイン間を流れる比較的大きな電流値をAlゲートに加える低い電圧によって制御できることを確認した。得られた基礎データをもとに、Alq3を発光層とした有機EL素子とα-NPDを用いたSIT素子を組み合わせた複合型有機ELトランジスタ構造を作製し、素子のトランジスタ特性と発光特性の関係について調べた。試作した複合型有機ELトランジスタはゲート電圧を変化させることでソース・ドレイン間電流の変化に対応した輝度変調を得られることが確認された。しかしながら、ITO電極側から光を取り出す通常の素子構造では、発光層からの光がAlゲート電極によって遮られてしまうため、光の取り出し効率が悪いことが判明した。この問題点を解決する新型素子を試作し、通常構造素子との特性比較を行った結果、新型素子では電流値が通常構造素子とほぼ同程度であるにもかかわらず、輝度は2倍以上の値が得られていることが確認された。
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