| 研究課題/領域番号 |
11650338
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
嶋脇 秀隆 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (80241587)
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| 研究分担者 |
佐藤 信之 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (10178759)
横尾 邦義 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (60005428)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2000
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| 研究課題ステータス |
完了 (2000年度)
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| 配分額 *注記 |
3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
2000年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
1999年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
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| キーワード | 微小冷陰極 / 電界電子放射 / 真空マイクロエレクトロニクス / 半導体FEA / 電子光学 / 変調電子放射 |
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| 研究概要 |
1.p型Si電界放射陰極はn型Si電界放射陰極と異なり、電子は少数キャリアであるため、高電圧印加において、放射電流は空乏層域で熱的に発生する電子量により供給が律則され飽和すること、光に対する応答性に優れていることが予想される。p型Si電界放射陰極を製作し、放射電流特性の評価を行った。その結果、p型Si電界放射陰極における放射電流の飽和を確認すると共に、飽和状態での放射電流の経時変動は平均値に対し10%未満とn型Si電界放射陰極に比べ小さく、エミッタ先端への電子の供給が制限されることにより放射電流の安定化が可能であるとの知見を得た。また、エミッタ先端にHe-Neレーザーを照射することにより光の強度に依存して放射電流量が変化すること、基板温度に依存して放射電流特性が大きく変化することから、光照射等により伝導帯のキャリア密度を制御することで放射電流の制御が可能であるとの知見を得た。
2.製作したSi電界放射陰極からの放射電子を用いて、福岡工大の石塚はスミス・パーセル光の放射実験を行った。電子ビームエネルギー15〜60keVの境域で350〜750nmのスミスパーセル光を発生した。得られた光はスミスパーセル放射理論とよく一致している。
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