| 研究課題/領域番号 |
11650350
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
内野 喜一郎 (2000-2001) 九州大学, 大学院・総合理工学研究院, 教授 (10160285)
梶原 寿了 (1999) 九州大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (00185779)
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| 研究分担者 |
梶原 寿了 福岡工業大学, 工学部, 教授 (00185779)
BOWDEN Mark (ボーデン マーク) 九州大学, 大学院・総合理工学研究院, 助教授 (10260720)
内野 喜一郎 九州大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (10160285)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
2001年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
2000年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
1999年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | プラズマ / ディスプレイ / PDP / 放電 / トムソン散乱 / レーザー / 電子密度 / 電子温度 / 放電プラズマ / レーザー計測 / マイクロ放電 / レーリー散乱 / 電界 |
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| 研究概要 |
本研究は、レーザートムソン散乱法(LTS)を用いてPDPマイクロ放電内の電子密度と電子温度の分布を定量的に測定することを可能にするとともに、それによる測定結果をもとに放電過程に関する検討を行ったものである。得られた成果を列挙すれば、以下の通りである。
(1)PDPマイクロ放電へレーザートムソン散乱計測法(LTS)を適用するに当たっては、信号が微弱であることと、強い器壁散乱光が存在することによる信号検出の困難性が懸念された。本研究では、まず3枚の回折格子を用いた分光器を製作し、迷光リジェクション10^8の性能を実現した。この分光器を含めて光学系を最適化することにより、マイクロ放電へのLTS法の適用を初めて可能とした。
(2)上記で確立したLTS計測システムを用いて、PDP放電を模擬したマイクロ放電を対象とした計測を行った。その結果、電極基板表面から0.1mm離れた位置において初めてLTS信号を検出することに成功した。
(3)電極表面より0.1mm離れた面内において、マイクロ放電内の電子密度と電子温度の空間分布の経時変化を測定した。測定した領域において、電子密度の絶対値は(0.2〜3)×10^<19>m^<-3>、電子温度は1〜3eVの範囲であることを明らかにした。
(4)電子密度と電子温度の空間分布と高エネルギー電子に関わる発光の空間分布をもとに、放電過程に関する検討を行った。その結果、誘電体表面に電荷が蓄積することによる放電フロント部の移動がLTS計測により電子温度分布の変化として初めて捉えられた。
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