| 研究概要 |
高圧下で無電解めっきを行うことにより373K以上の温度でのめっきを可能とした.成膜速度はSiC粒子の有無によらず,めっき温度を上昇させることにより向上し,363Kを基準として,399Kで約4倍,413Kで12倍になる.成膜速度は,撹拌速度の上昇により635rpmまで向上し,その後一定値に近づく.635rpmでの成膜速度は140rpmと比較して1.2倍になる.リン含有量は,めっき温度の上昇に伴い増加し,363Kを基準として,413Kで約1.5倍になる.粒子共析率は,SiC添加量が増加するにつれて増加し,約5kg/m^3で飽和する.またSiC添加量が1kg/m^3を越える領域では,めっき温度の低い363Kの方が高い.共析粒子径はめっき温度を上昇させると大きくなる.粒子共析率は,撹拌速度によって変化し,355rpmで最も高い値を示す.共析粒子径は撹拌速度の上昇により小さくなる.粒子共析率が高く,共析粒子径が大きいほど耐摩耗性は向上する.しかし母材/めっき膜界面へのSiCの共析は皮膜の密着性を低下させる危険性がある.そのため,耐摩耗性および密着性の両特性を満足する皮膜を得るためには,界面にSiC粒子が供析しておらず,皮膜表面は粒径の大きい粒子が多く供析している傾斜組成皮膜の創製が望まれる.本研究では同一めっき浴で,めっき温度すなわち成膜速度,および撹拌速度を制御することにより,傾斜組成皮膜の創製を実現した.
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