| 研究課題/領域番号 |
11694059
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長谷川 修司 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助教授 (00228446)
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| 研究分担者 |
白木 一郎 東京大学, 大学院・理学系研究科, 学振特別研究員
長尾 忠昭 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助手 (40267456)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2000
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| 研究課題ステータス |
完了 (2000年度)
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| 配分額 *注記 |
5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
2000年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
1999年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
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| キーワード | 表面電子輸送 / 四端子プローブ / 表面電子バンド / 表面超構造 / シリコン / 走査電子顕微鏡 / 微細加工 / 表面原子ステップ |
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| 研究概要 |
(1)デンマーク工科大学で製作したマイクロ4端子プローブ(プローブ間隔が8μm)を東京大学所有の超高真空走査電子顕微鏡・MBE装置内に装置し、測定する表面領域を観察しながらその場で電気伝導度測定を行なえるシステムを完成させた。この装置を使って様々な測定をし、次の成果が得られた。
(2)Si(111)-7×7清浄表面とSi(111)-√3×√3-Ag表面で電気伝導度測定を行ったところ、後者は2桁も伝導度が高いことが分かった。これは、プローブ間隔が狭まったことによって、非常に表面敏感な伝導度測定となり、表面構造の違いが如実に現れたものと考えられる。
(3)マイクロ4端子プローブを微動させて、ステップが数十段密集したステップバンド領域を跨いで測定した場合と跨がずにテラス上で測定した場合を比較して、伝導度が著しく異なることが分かった。これは、表面原子ステップによって表面キャリアが散乱されて伝導度を下げていることを直接検出したことになる。
(4)測定された表面電気伝導度分布から真の表面電気伝導度分布を求めるため、2次元抵抗体ネットワークモデルを作ってコンピュータシュミレーションを行い、解析した。
(5)デンマーク工科大学で新しく開発・製作されたマイクロ4端子プローブ(プローブ間隔が0.5μm)を上記装置に装着し、表面電気伝導度の測定を試み、改良点などを検討した。
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