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光電子回折法を軸とした新規触媒解析手法の確立

研究課題

研究課題/領域番号 11J09374
研究種目

特別研究員奨励費

配分区分補助金
応募区分国内
研究分野 触媒・資源化学プロセス
研究機関奈良先端科学技術大学院大学

研究代表者

松井 公佑  奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 特別研究員(DC1)

研究期間 (年度) 2011 – 2013
研究課題ステータス 完了 (2013年度)
配分額 *注記
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
2013年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
2012年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
2011年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
キーワード光電子回折 / X線光電子分光 / X線吸収分光 / Ni_2P / 水素化脱硫反応 / 表面合金 / NO吸着反応 / 線光電子分光 / 脱硫触媒
研究概要

光電子回折は元素・サイト選択的に表面構造解析が可能であり, 触媒解析法として理想的な特徴を持つ. 本課題ではこれまで, 次世代の水素化脱硫(HDS)触媒として期待が持たれるNi_2Pの単結晶基板を用いて, 光電子回折により原子構造・電子状態の解析を行ってきた. その結果, バルクに局在する2種類のNiサイトを区別して状態観察することに成咳し, 本分析法は原子構造と電子状態の関連を緻密に調べることに最適であることを実証した. 本年度はこれまで確立した光電子回折を観点とした解析技術により, 最先端の触媒研究で着目されている表面系を用いて, 従来明らかにされていない触媒表面の構造とその触媒特性の関連を明らかにすることを目的とした.
最近, Ni_2Pの実触媒開発では, Co, Mo, Feなどの遷移金属を添加するとHDS反応の触媒特性に変化が現れること力報告されている. 特に, Feと合金化させたNi_2P表面はHDS反応における選択性が飛躍的に向上することが明らかにされている. しかし, 実触媒のキャラクタリゼーションで強力なX線吸収微細構造(XAFS)では, バルク中に局在する2種類のNiサイトを区別して観察することが難しく, 従来, 元素識別した詳細な構造は明らかにされていなかった. そこで本研究では, Ni_2P単結晶上にFcを数原子層蒸着して, 表面に形成される構造を解明し, さらに, その触媒特性との関連を調べた. 実験では, Fe3p. Ni3p, P2pの内殻をそれぞれ励起して光電子回折パターンを得た. その際の光電子の運動エネルギーは600evである, Ni_3pとP2pのパターンがFe蒸着前後で変化しなかったことから, バルクの構造は維持されているものと判断した. その際, Fe3pのパターンがNi3pのバターンと非常に似ていたことから, 蒸着さ才たFeはNiサイトに選択的に導入されていることを発見した. また, Fe導入による触媒特性の変化を観察するために, HDS反応の活性に関連のあるNO分子を曝露して反応性の議論を行った. その結果, 清浄なNi_2P表面では全くNO吸着は見られなかったが, Fe蒸着Ni_2P表面ではNOの解離吸着とみられる挙動がXPSにより明らかにされた. また, Fe3p, P2pの内殻スペクトルでそれぞれ高エネルギー側に内殻シフト, 肩構造が見られたことから, NO吸着に活性な構造はNi_2P表面上に形成されたFe_2Pであることが示唆された.
以上のように, 本研究では光電子回折が触媒解析法として有用であることを実証し, さらに, 実際の触媒研究で用いられている表面系に応用することで, 活性構造を明らかにすることに成功した.

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

本年度はこれまで行ってきた光電子回折による触媒解析を, 実触媒研究で提案されている表面系に適用して研究を行った. その結果, 他手法では明らかにされていなかった合金表面における挿入原子の置換サイトを明らかにすることに成功した. さらに, 触媒特性と表面構造の関連も調べ, 研究目標としていた内容にまで発展させることが出来た, また, 研究拠点としている大型放射光施設SPring-8において, 特別研究員が研究責任者となり, 課題設定から実験の遂行・報告まで一連の研究運営を行う萌芽課題にも複数件採択された. さらに, SPring-8において顕著な研究業績を上げた者に送られる, 萌芽研究アワードにも選ばれ, 3HにはSPring-8コンファレンス2014において授賞式・受賞講演を行った, このように, 高い外部評価も受けた研究展開ができ, 特別研究員の期待通りの研究が進展したと考えられる.

今後の研究の推進方策

これまで理想表面のキャラクタリゼーションということで単結晶試料を用いた研究を行ってきたが, 実触媒と比較すると, その表面状態及び触媒反応条件は全く異なる. したがって, 単結晶表面で見られる触媒特性が実触媒表面で見られるかは定かでない. そこで, 今後の研究方針としては, 実触媒も視野に置いた研究展開が理想的である, 例えば, 単結晶試料を必要としない分光測定などで, 実反応に近い条件でのin situ測定を可能とする測定装置を構築し, 単結晶と実触媒の両表面で見られる共通の動向を回折で明らかにする, このような, 本研究で開発に成功した分析法をさらに上手く使うことのできる研究展開が望まれる.

報告書

(3件)
  • 2013 実績報告書
  • 2012 実績報告書
  • 2011 実績報告書
  • 研究成果

    (16件)

すべて 2014 2013 2012 2011

すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (10件) (うち招待講演 1件)

  • [雑誌論文] Atomic Structure and Catalytic Activity of W-Modified Ni_2P Surface Alloy by Photoelectron Diffraction and Spectroscopy2014

    • 著者名/発表者名
      H. Matsui, F. Matsui, N. Maejima, H. Daimon, T. Matsushita, H. Ariga, K. Asakura
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology

      巻: 12 ページ: 53-56

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Site-Specific Atomic and Electronic Structure Analysis of Epitaxial Silicon Oxynitride Thin Film on SiC (0001) by Photoelectron and Auger Electron Diffractions2014

    • 著者名/発表者名
      N. Maejima, F. Matsui, H. Matsui, K. Goto, T. Matsushita, S. Tanaka, and H. Daimon
    • 雑誌名

      Journal of Physical Society of Japan

      巻: 83 ページ: 44604-44609

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Lattice distortion of porous Si by Li absorption using two-dimensional photoelectron diffraction2013

    • 著者名/発表者名
      E. S. Nouh, S. N. Takeda, F. Matsui, K. Hattori, T. Sakata, N. Maejima, H. Matsui, H. Matuda, T. Matsushita. L. Toth, M. Morita, S. Kitagawa, R. Ishii, M. Fujita, K. Yasuda, H. Daimon
    • 雑誌名

      Journal of Materials Science

      巻: 49 号: 1 ページ: 35-42

    • DOI

      10.1007/s10853-013-7799-2

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Analysis of electronic structure of amorphous InGaZnO/Si02 interface by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueoka, Y. Ishikawa, N. Maejima, F. Matsui, H. Matsui, H. Yamazaki, S. Urakawa, M. Horita, H. Daimon and Y. Uraoka
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 114 号: 16 ページ: 35-42

    • DOI

      10.1063/1.4828869

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] The Influence of Fluorinated Silicon Nitride Gate Insulator on Positive Bias Stability toward Highly Reliable Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors2013

    • 著者名/発表者名
      H. Yamazaki, Y. Ishikawa, M. Fujii, Y. Ueoka, M. Fujiwara, E. Takahashi, Y. Andoh, N. Maejima, H. Matsui, F. Matsui, H. Daimon, Y. Uraoka
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 3 号: 2 ページ: 20-23

    • DOI

      10.1149/2.014402jss

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Negative Photoelectron Diffraction Replica in Secondary Electron Angular Distribution2012

    • 著者名/発表者名
      F.Matsui, T.Matsushita, M.Hashimoto, K.Goto, N.Maejima, H.Matsui, Y.Kato, H.Daimon
    • 雑誌名

      Journal of Physical Society. Japan

      巻: 81 号: 1 ページ: 13601-5

    • DOI

      10.1143/jpsj.81.013601

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 光電子回折分光法による新規触媒解析手法の開発~水素化脱硫触媒Ni_2P表面を舞台とした種々の構造形態と触媒特性~2014

    • 著者名/発表者名
      松井公佑
    • 学会等名
      SPring-8コンファレンス201
    • 発表場所
      グランフロント大阪
    • 年月日
      2014-03-07
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 光電子回折によるW導入脱硫触媒Ni_2Pの原子構造及び触媒特性の評価2013

    • 著者名/発表者名
      松井公佑
    • 学会等名
      平成25年度放射光表面科学研究部会・顕微ナノ材料科学研究会合同シンポジウム
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2013-12-26
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] 光電子回折分光法による脱硫触媒Ni2P(10-10)の局所原子構造・電子状態解析2013

    • 著者名/発表者名
      松井公佑
    • 学会等名
      Cat on cat新規表面反応研究センターシンポジウム2012
    • 発表場所
      兵庫県立大学(兵庫)
    • 年月日
      2013-12-08
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] 光電子回折分光法による脱硫触媒NI_2P及び関連合金表面の原子構造・電子状態解析と触媒活性の相関2013

    • 著者名/発表者名
      松井公佑
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      2013-09-27
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Atomic and Electronic Structure Analysis of Catalytic Ni2P (10-10) surface by Photoelectron Diffraction Spectroscopy2013

    • 著者名/発表者名
      Hirosuke Matsui
    • 学会等名
      12th international conference on electronic spectroscopy and structure
    • 発表場所
      サンマロ(フランス)
    • 年月日
      2013-09-19
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] 光電子回折分光法による脱硫触媒Ni2P(10-10)の局所原子構造・電子状態解析2013

    • 著者名/発表者名
      松井公佑
    • 学会等名
      第15回XAFS討論会
    • 発表場所
      白兎会館(鳥取)
    • 年月日
      2013-09-11
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Layer-resolved atomic and electronic structure analysis of graphene on 4H-SiC(0001) by photoelectron diffraction spectroscopy2013

    • 著者名/発表者名
      Hirosuke Matsui
    • 学会等名
      International workshop on 3D atomic imaging at nano-scale active sites in materials
    • 発表場所
      東京大学物性研究所(千葉)
    • 年月日
      2013-08-07
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Atomic and electronic structures of catalytic Ni_2P surfaces2011

    • 著者名/発表者名
      Hirosuke Matsui
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Surface Science
    • 発表場所
      タワーホール船堀(船堀,東京)
    • 年月日
      2011-12-13
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 二次元光電子回折分光法による脱硫触媒Ni_2P(10-10)の局所原子構造・電子状態解析2011

    • 著者名/発表者名
      松井公佑
    • 学会等名
      第108回触媒討論会
    • 発表場所
      北見工業大学(北見,北海道)
    • 年月日
      2011-09-22
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] LAYER-RESOLVED ATOMIC AND ELECTRONIC STRUCTURE ANALYSIS OF GRAPHENE ON 4H-SIC(0001) BY PHOTOELECTRON DIFFRACTION SPECTROSCOPY2011

    • 著者名/発表者名
      Hirosuke Matsui
    • 学会等名
      13th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Institute of Physics of the Academy of Sciences of the Czech Republic (Prague, Czech)
    • 年月日
      2011-07-04
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書

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公開日: 2011-12-12   更新日: 2024-03-26  

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