| 研究概要 |
第一原理計算に基づいて、ZnO, ZnSやGaN, AINなどの透明なワイドギャップ半導体に遷移金属を高濃度にドープした系について透明強磁性体のマテリアルデザインをおこない、II-VI族半導体ではV, Crが、またIII-V族半導体ではV, Cr, Mnが強磁性状態で、しかも、一方のスピン状態だけにフェルミ面があり片方のスピン状態が絶縁体であるハーフメタリックな系を予言した。実際に実験グループが新物質の創製を行いZnO : V, ZnO : Co, GaN : Mnで強磁性を確認し、第一原理計算によるマテリアルデザインの有効性を検証した。第一原理計算によるマテリアルデザインの結果に立脚して、スピン・FETやスピン・トランジスタなどのプロトタイプの新機能スピンデバイスをデザインした。
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