| 配分額 *注記 |
29,300千円 (直接経費: 29,300千円)
2003年度: 7,600千円 (直接経費: 7,600千円)
2002年度: 9,800千円 (直接経費: 9,800千円)
2001年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
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| 研究概要 |
本研究の目的は近接場光加工の大面積化技術の研究を行うこと,特に具体的目標として,光メモリへ応用することである.集積型プローブの並列化を実現することが重要である.加えて媒体用マイクロステージ機構(マイクロメディアスキャナ)を開発することが重要である.本年度はマイクロステージとして,スクラッチドライブアクチュエータ(SDA)のアレイを駆動源とするマイクロステージを設計・製作した.表面マイクロマシニングにより製作したSADでは残留応力の影響を受けるので,SOIウエハの上層結晶シリコンを用いたSDAによるマイクロステージを設計,製作した.SOIの基板層をステージとして,搬送動作を実現した.ステージを乗せる基板にSDAが接触する配線を施すことで,ステージへ直接接続する針金が不要となり,ステージの移動における制約を取り除いた.また再現性の高いステージを実現するため,弾性ヒンジ構造とくし型アクチュエータを組み合わせたステージを設計し試作した.ステージの移動距離を拡大できるようにバネとくし型アクチュエータを設計し100μm程度の大変位を実現できた.さらに,集積化システムをリソグラフィにより実現するため,レジスト噴霧法を開発してきたが,段差面への塗布におけるピンホールの発生特性を明らかにし,ピンホールのないレジスト塗布法を開発した.これらの技術は本研究の目的の集積化において極めて重要な技術である.
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