| 研究課題/領域番号 |
12134206
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
藤村 紀文 大阪府立大学, 工学研究科, 教授 (50199361)
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| 研究分担者 |
田畑 仁 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (00263319)
松井 利之 大阪府立大学, 工学研究科, 講師 (20219372)
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| 研究期間 (年度) |
2000 – 2003
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| 研究課題ステータス |
完了 (2003年度)
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| 配分額 *注記 |
39,100千円 (直接経費: 39,100千円)
2003年度: 8,500千円 (直接経費: 8,500千円)
2002年度: 13,400千円 (直接経費: 13,400千円)
2001年度: 17,200千円 (直接経費: 17,200千円)
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| キーワード | YMnO_3 / MOS(MFIS)キャパシタ / 電界効果型トランジスタ / 磁性強誘電体 / 多値メモリ / 新強誘電体メモリ / 強誘電体ゲートトランジスタ / 新強誘電体物質設計 / 減分極電界 / カルコゲン系強誘電体 / BaZrO_3 / リラクサー強誘電体 / 新強誘電体物質 / MFIS / バンドアライメント / 低エネルギープラズマ窒化 / カルコゲナイド |
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| 研究概要 |
磁性強誘電体YMnO_3系と半導体の接合によってMOS界面(MFIS界面)を形成し,新規な電界効果型の不揮発性メモリの開発を行っている。
1)強磁性強誘電体RMnO_3系物質の開発
YMnO_3の成長において問題であった成長中の組成変動を、ターゲットの作成方法、基盤加熱機構、レーザー波長の短波長化によって抑制し、分極ヒステリシスの矩形性を大幅に改善した。
2)YMnO_3を用いたMOS(MFIS)キャパシタの記憶保持特性
YMnO_3をSi上にエピタキシャル成長させMOS(MFIS)キャパシタを作成した.強誘電体ゲートトランジスタの問題点を記憶保持特性の改善と認識し、記憶保持特性に及ぼすリーク電流の影響を昨年度より詳細に把握した。
3)YMnO_3を用いたMFIS電界効果型トランジスタの作成に向けた成長温度の低減化
YMnO_3を用いたMFIS電界効果型トランジスタを試作中にYMnO_3のクラッキングの問題が生じた.成長温度を低温化することによって対処する予定である。昨年度、成長温度は650℃まで低減できることが明らかになっていたが、650℃で作製した試料では十分な強誘電性が得られないことがわかった。現在は、740℃で成長している。
4)YMnO_3を用いたMFIS電界効果型トランジスタの試作
YMnO_3を用いたMFIS電界効果型トランジスタを20μmと大きなゲート長ではあるが全行程を終了した。YMnO_3のエッチングなどのデバイスプロセスの問題点が顕在化し、未だ良好なトランジスタ特性は得られていない。
5)YMnO_3の磁気特性と誘電特性との相関
ネール点近傍の温度において、YMnO_3の分極反転の抗電界および低電界側での誘電率に異常があることが見いだされた。
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