| 研究課題/領域番号 |
12440098
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
辛 埴 東京大学, 物性研究所, 教授 (00162785)
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| 研究分担者 |
横谷 尚睦 東京大学, 物性研究所, 助手 (90311646)
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| 研究期間 (年度) |
2000 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
15,400千円 (直接経費: 15,400千円)
2001年度: 6,500千円 (直接経費: 6,500千円)
2000年度: 8,900千円 (直接経費: 8,900千円)
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| キーワード | 軟X線レーザー / 超高分解能光電子分光 / 微少スポットサイズ光電子分光 / 低温超伝導体 / 超伝導ギャップ / 異方的超伝導 / 高分解能光電子分光 / 超伝導体 / 電子状態 |
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| 研究概要 |
レーザーを励起光とした光電子分光装置の開発を行った。光源のエネルギー幅をのぞいた装置の分解能0.8meV、角度分解能+/-0.1度、測定最低温度4K(瞬間的には2.3K)を達成している。これらの装置緒性能は世界最高である。
本光電子分光装置装置を用い、これまでの光電子分光装置の分解能と試料温度では測定の難しかった低温超伝導体について、その超伝導及び常伝導状態の電子状態を調べた。単体金属超伝導体においては、超伝導ギャップの観測と強結合超伝導体のスペクトル形状(peak-dip-hump構造)を光電子分光で初めて見いだした。Niホウ化炭化物に関しては、不純物によるギャップ異方性の研究から異方的s-波を確認した。新規超伝導体MgB2については、その超伝導ギャップを直接観測するとともに、ギャップが多重ギャップである可能性を直接的に示した。Ba_<1-x>K_xBiO_3の研究からは等方的s-波超伝導ギャップと常伝導擬ギャップを見いだした。新規超伝導体Ba_8Si_<46>の超伝導ギャップを観測した。角度分解光電子分光実験からは、遷移金属ダイカルコゲナイド2H-NbSe_2について、これまで分離できなかったフェルミ面を全てを観測するとともに、超伝導ギャップの大きさがフェルミ面により大きく異なることを直接的に示した。
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