• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

ErドープSiO_2/Si極薄多層膜構造のEr1.54μm発光のダイナミクス

研究課題

研究課題/領域番号 12450008
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関電気通信大学

研究代表者

木村 忠正  電気通信大学, 電気通信学部, 教授 (50017365)

研究分担者 一色 秀夫  電気通信大学, 電気通信学部, 助手 (60260212)
研究期間 (年度) 2000 – 2001
研究課題ステータス 完了 (2001年度)
配分額 *注記
7,200千円 (直接経費: 7,200千円)
2001年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
2000年度: 4,800千円 (直接経費: 4,800千円)
キーワードErドープSi / 1.54μm発光 / エネルギーバックフロー / 温度消光 / オージェクエンチング / 極薄多層膜構造 / 1.54μm 発光
研究概要

本研究では,Er/SiO_2/Si極薄多層膜構造を作製し,ErとSi中のキャリヤとの間のエネルギー授受を,両者を分離する酸化膜の厚さの関数として観測し,その物理的要因を明らかにするとともに,室温1.54μm発光素子の設計指針を得ることを目的とした.
まず,Si中で生成されたフォトキャリヤからEr^<3+>イオンへのエネルギー伝達を,層間酸化膜の関数としてフォトルミネセンス強度と蛍光寿命との測定から求めた.次に,cw光照射下でパルス光励起をしたときの1.54μm発光のオージェクエンチング測定から,ErからSiへのエネルギーバックフローを求めた.その結果,熱酸化時間の増加にともない,エネルギー伝達,バックフローともに減少するが,エネルギーバックフローの方が急速に減少することが判明した.また,Er/SiO_2/Si構造におけるキャリヤとEr^<3+>とのエネルギー授受の物理的メカニズムが交換相互作用であるとの示唆を得た.結論として,SiO_2膜がおよそ2nmのときに温度消光は1/2-1/3程度に抑えられ,室温発光強さ度が最大となった.

報告書

(3件)
  • 2001 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2000 実績報告書
  • 研究成果

    (31件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (31件)

  • [文献書誌] Wei Wang: "Site of the Er^<3+> optical centers of the 1.54μm room-temperature emission in Er-doped porous silicon and the excitation mechanism"Journal of Luminescence. vol.87-89. 319-322 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Nakasone: "Auger deexcitation of the 1.54μm emission of Er and O implanted silicon, NucL.Instr.Meth"Nucl.Instr.Meth. B161-163. 1080-1084 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Saito: "Chemical Reaction of Intercalated Atoms at the Edge of Nano-Graphene Cluster"Liquid Crystal and Molecular Crystals. 340. 71-76 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Isshiki: "Direct evaluation of atomic layer intermixing via disordering in ALEgrown (GaAS)m (GaP)_1 system"Applied Surface Science. 159-160. 508-513 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Kimura: "Study of the radiative and nonradiative processes of rare earth implanted semiconductors at low temperatures"Nucl.Instr.Meth.. B175-177. 286-291 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] R.Saito: "Theoretical analysis of the diffusive ion in biased plasma enhanced diamond chemical vapor deposition"J.Appl.Phys. 90. 2559-2564 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] R.Saito: "Anomalous Potential Barrier of Double-Wall Carbon Nanotube"Chem.Phys.Lett.. 348. 187-193 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 一色秀夫: "希土類添加半導体の可視発光とLEDの可能性"月刊ディスプレイ. vol.7No.8. 18-22 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Gruneis: "Determination of two dimensional phonon dispersion relation of graphite by Raman spectroscopy"Phys.Rev. April 15th(undecided). (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Wei Wang: "Site of the Er^<3+> optical centers of the 1.54 μm room-temperature emission in Er-doped porous silicon and the excitation mechanism"Journal of Luminescence. Vol.87-89. 319-322 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Nakasone: "Auger deexcitation of the 1.54 μm emission of Er and O implanted silicon, Nucl. Instr. Meth."Nucl. Instr. Meth.. B161-163. 1080-1084 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Saito: "Chemical Reaction of Intercalated Atoms at the Edge of Nano-Graphene Cluster"Liquid Crystal and Molecular Crystals. 340. 71-76 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H. Isshiki: "Direct evaluation of atomic layer intermixing via disordering in ALEgrown (GaAs)_m (GaP)_1 system"Applied Surface Science. 159-160. 508-513 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Kimura: "Study of the radiative and nonradiative processes of rare earth implanted semiconductors at low temperatures"Nucl. Instr. Meth.. B175-177. 286-291 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] R. Saito: "Theoretical analysis and of the diffusive ion in biased plasma enhanced diamond chemical vapor deposition"J. Appl. Phys. 90. 2559-2564 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] R. Saito: "Anomalous Potentian Barrier of Double-Wall Carbon Nanocube"Chem. Phys. Lett.. 348. 187-193 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H. Isshiki: "Visible luminescence of rare-earth doped semiconductors and possibility of LED"Monthly DISPLAY. Vol.7,No.8. 18-22 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A. Gruneis: "Determination of two dimensional phonon dispersion relation of graphite by Raman spectroscopy"Phys. Rev.. April 15th. (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Kimura: "Electric device"Asakura Publishing. 194 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Wei Wang: "Site of the Er^<3+> optical centers of the 1.54μm room-temperature emission in Er-doped porous silicon and the excitation mechanism"Journal of Luminescence. Vol.87-89. 319-322 (2000)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] T.Nakasono: "Auger deexcitation of the 1.54μm emission of Er and O implanted silicon, Nucl. Instr. Meth"Nucl. Instr. Meth. B161-163. 1080-1084 (2000)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] T.Saito: "Chemical Reaction of intercalated Atoms at the Edge of Nano-Graphene Cluster"Liquid Crystal and molecular Crystals. 340. 71-76 (2000)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] H.Isshiki: "Direct evaluation of atomic layer intermixing via disordering in ALEgrown (GaAs)_m (GaP)_1 system"Applied Surface Science. 159-160. 508-513 (2000)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] T.Kimura: "Study of the radiative and nonradiative processes of rare earth implanted semiconductors at low temperatures"Nucl. Instr. Meth.. B175-177. 286-291 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] R.Saito: "Theoretical analysis of the diffusive ion in biased plasma enhanced diamond chemical vapor deposition"J. Appl. Phys. 90. 2559-2564 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] R.Saito: "Anomalous Potential Barrier of Double-Wall carbon Nanotube"Chem. Phys. Lett.. 348. 187-193 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] 一色秀夫: "希土類添加半導体の可視発光とLEDの可能性"月刊ディスプレイ. Vol.7 No.8. 18-22 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] A.Gruneis: "Determination of two dimensional phonon dispersion relation of graphite by Raman spectroscopy"Phys. Rev. April 15th(undecided). (2002)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] 木村 忠正: "電子デバイス"朝倉出版. 194 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] T.Kimura: "Direct evaluation of atomic layer intermixing via disordering in ALE grown (GaAs) m/Gaf1 s system"Applied Surface Science. 159-160. 508-513 (2000)

    • 関連する報告書
      2000 実績報告書
  • [文献書誌] T.Kimrua: "Study of the radiative and nonradiatice processes of rare earth implanted semiconductors at low temperatures"Nuclear Instruments & Methods in Phsics Research. B. (2001)

    • 関連する報告書
      2000 実績報告書

URL: 

公開日: 2000-04-01   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi