研究課題/領域番号 |
12450105
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
知能機械学・機械システム
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研究機関 | 関西大学 |
研究代表者 |
多川 則男 関西大学, 工学部, 教授 (50298840)
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研究分担者 |
新井 泰彦 関西大学, 工学部, 教授 (80131415)
林 武文 関西大学, 総合情報学部, 教授 (90268326)
青柳 誠司 関西大学, 工学部, 助教授 (30202493)
土谷 茂樹 和歌山大学, システム工学部, 助教授 (30283956)
中原 住雄 関西大学, 工学部, 助教授 (90067760)
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研究期間 (年度) |
2000 – 2002
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研究課題ステータス |
完了 (2002年度)
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配分額 *注記 |
13,100千円 (直接経費: 13,100千円)
2002年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2001年度: 3,100千円 (直接経費: 3,100千円)
2000年度: 8,900千円 (直接経費: 8,900千円)
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キーワード | 超高密度情報記憶 / マイクロマシン / ナノメカトロニクス / 複合多層PZT薄膜 / アクティブスライダ / ICP-RIEディープエッチング / ナノトライボロジー / 超薄膜液体潤滑膜 / 近接記録機構 / マイクロトラッキング機構 / 高アスペクト比ディープエッチング / ICP-RIE法 / 高アスペクト比エッチング / PZT薄膜マイクロアクチュエータ |
研究概要 |
面記録密度100Gb/in^2以上を実現するため、ナノメカトロニクス制御機構の設計技術の確立およびマイクロマシーニングによるその機構の試作・実証、ならびにそれらの革新技術を実現するための基盤技術の開発を行った。その結果、所定の目的を達成する以下の成果を得ることが出来た。 (1)面内・面外の2軸方向にナノメータ精度で作動するナノメカトロニクス制御機構の最適設計を行った。寸法諸元は2001μm×80μm程度で、トラッキング機構は高アスペクト比リブ構造、近接記録機構は薄板ばね構造で構成されている。それぞれの機構は圧電薄膜でアクティブに駆動されることを特徴としている。 (2)提案した機構を開発するためのマイクロマシーニングプロセスの開発を行うとともに、高アスペクト比エッティングの改良された加工法を開発した。また圧電薄膜に対しては、新規な複合多層圧電薄膜の開発を行い、従来比2倍の圧電定数を有するマイクロアクチュエータを開発した。これらの成果から提案するMEMS技術に立脚したナノメカトロニクス制御機構が低電圧駆動で実現出来る見通しを得た。 (3)10nm以下のヘッドディスクインタフェース(HDI)を実現するため、複合多層圧電薄膜を利用するアクティブ制御形のオンデマンド形スライダ機構を提案してその基礎検討を行い、そのフィージビリティを確認した。 (4)10nm以下のHDI実現の見通しを得るため、ディスク上に存在する超薄膜液体潤滑膜とスライダとの相互作用を実験的に調べた。そしてHDIで起こる特異な現象を解析し、将来のHDI設計指針についてナノテクノロジーの観点から明らかとした。 (5)環状トリフォスファーゼンを有するPFPE超薄膜潤滑膜のナノ流動特性について実験的に検討し、従来のZdol系潤滑剤との比較検討を行うことにより、その特徴を明確にした。またDLC保護膜上での分子論的存在形態を明らかとした。
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