| 研究概要 |
1.重み付け電子線露光によるチャープトグレーティングの試作とDFBレーザヘの応用:フィールドサイズ変調法に重み付け電子線露光を組み合わせることで,線型チャープトグレーティング(CG)を形成し,実際にCGを有する分布帰還型(DFB)レーザを試作し,その光双安定性を観測した.CG DFBレーザにおいて双安定遷移が生ずる光パワーは,通常のDFBレーザに比べ約1/4と小さく,入力光の波長についても,通常のDFBレーザに比がほぼ2倍の範囲で双安定性が観測された.
2.マストランスポートInAsP圧縮歪み量子細線利得結合分布帰還型(DFB)レーザの試作:1/4μmピッチのV溝を形成したInGaAsP/InP基板上のマストランスポート現象を利用して標記のレーザを作製し,1.55μm帯においてASEを観測した.
3.多波長利得結合DFBレーザアレイの試作と発振波長トリミング:波長分割多重(WDM)光通信用の光源として,多波長利得結合DFBレーザアレイを研究,試作した.多波長発振用の回折格子は,フィールドサイズ変調電子線露光により形成し,利得結合ほ吸収性回折格子により付与した.試作された1.55μm帯の4波長レーザアレイにおいて,ほぼ均一な閾値電流分布と発振波長間隔を確認した.波長トリミング用の超格子層の形成とパルスYAGレーザによる無秩序化実験を行った.
4.応力補償による半導体レーザの温度無依存化:アクセス系の光化・波長多重化に向けて,半導体レーザ特性の温度依存性を低減化することにつき研究した.具体的には,全く新たなヒートシンク構造により温度に応じた歪みを半導体レーザに与え,本来の温度特性をキャンセルせんとするものである.ヒートシンク構造を改善し,実際にレーザチップを実装して,発振波長および発振閾値の温度補償が可能であることを実証した.
5.双安定半導体レーザに基づく全光フリップフロップ:将来の全光デジタル信号処理で重要な光フリップフロップ機能を実現する新たな双安定方向性結合器型半導体レーザを提案した.理論解析でその有効性を確認した後,新たに開発した電極分離技術を適用して実際にデバイスを作製し,光フリップフロップ動作を実証した.
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