| 研究課題/領域番号 |
12555102
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 展開研究 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
|
|---|
| 研究機関 | 広島大学 |
|---|
研究代表者 |
角南 英夫 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (10311804)
|
|---|
| 研究分担者 |
芝原 健太郎 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 助教授 (50274139)
横山 新 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (80144880)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2000 – 2002
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2002年度)
|
| 配分額 *注記 |
13,000千円 (直接経費: 13,000千円)
2002年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
2001年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
2000年度: 9,800千円 (直接経費: 9,800千円)
|
|---|
| キーワード | ビームチャネル / フィールドシールド / 多結晶シリコン埋め込み / 増速酸化 / TMAH / SOI / 自己整合 / CMOS / 鞍型トランジスタ / 素子分離構造 / フィールド・シールド / ハンプ電流 / 電界集中 / 漏洩電流 / 鞍型ゲート / 局所酸化法 / 不純物濃度依存酸化 / プラズマドーピング / 側壁ドーピング |
|---|
| 研究概要 |
本研究はSiのビーム(梁)にまたがったゲートにより、二本のビームの側壁の一方をnチャネル、他方をpチャネルとした立体的なCMOSトランジスタを実現することを目的としている。このため、下記の(1)-(3)の課題を実現し、nチャネルMOSトランジスタを動作させた。Pチャネルを加えるとCMOSが実現できる。
(1)フィールドシールド素子分離構造の実現:
梁の上端エノジ部で電界が集中し、サブスレッショルド領域の劣化現象を抑制するため、高濃度の不純物による増速酸化を利用し、埋め込んだ多結晶Si上に自己整合でシリコン酸化膜を形成する方法を考案した。
(2)2μmチャネル長・櫛形チャネルnMOSトランジスタの実現:
TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide)を用いた異方性エッチングにより、高さ1μm、幅50nmの垂直のビームを複数備えたnチャネル櫛形チャネルトランジスタを実現した。2μm実効チャネル長、31本ビームの時、同平面面積トランジスタの5倍の駆動電流を実現した。
(3)0.2μmチャネル長・ビームnMOSチャネルトランジスタの実現:
SOI(Silicon-On-Insulator)基板上に、高さ1μm、幅50nmのビームをドライエッチングで形成した。また、多結晶Siゲートを増速酸化による自己整合酸化膜で覆う技徳を開発し、0.2μm実効チャネル長のnチャネル・トランジスタを動作させた。
|
