| 研究課題/領域番号 |
12640313
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
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| 研究機関 | 奈良先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
服部 賢 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教授 (00222216)
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| 研究分担者 |
松井 文彦 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助手 (60324977)
武田 さくら 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助手 (30314537)
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| 研究期間 (年度) |
2000 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
3,800千円 (直接経費: 3,800千円)
2001年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
2000年度: 3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
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| キーワード | 昇温脱離 / シリコン(111) / 銀 / 超薄膜 / 一酸化窒素 / 窒素 / 酸素 / 亜酸化窒素 / 昇温脱離法 / 走査トンネル顕微鏡 / オージェ元素分析 / 一酸化炭素 / 吸着脱離 |
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| 研究概要 |
表面構造の異なるいくつかの超薄膜銀蒸着シリコン(111)表面に一酸化窒素を低温で吸着させ、その昇温脱離スペクトル(約120K〜1000K)を測定した。その結果、以下のような興味深い結果が得られた。
1、Si(111)7×7清浄表面
NOの脱離が161Kで、O_2・N_2・N_2Oの脱離が168Kで観測された。他のグループによると、150K付近でN_2・NO・N_2Oの脱離が過去に報告されているが、今回、O_2も脱離すること、(脱離のピーク温度が2つに分かれるので)2つの異なる脱離過程があることが新たに分かった。ピーク温度が過去の報告と異なるのは、温度モニター位置や被覆率・昇温速度の違いに起因するもので、以下の各表面温度の相対比較は可能である。
2、Si(111)√<3>×√<3>-Ag表面
Si(111)7×7清浄表面と相似のスペクトルが得られたが、脱離量は清浄表面の1/10ほどで、この表面はシリコンや銀とは異なり代えって、NOが吸着・脱離しづらくなることが分かった。
3、島状(数単原子層)Ag(111)/Si(111)表面
N_2の脱離が146K、N_2Oが210K、NOが325Kで観測された。Ag(111)単結晶表面では、N_2Oの脱離が180K、NOが380Kで報告されているが、島状Ag(111)を作成すると、単結晶では生じないN_2脱離の還元反応が進行することが新たに分かった。
同様に、シリコン(111)表面に一酸化炭素を低温で吸着させた場合、177KでCO・CO_2・O_2の脱離が観測された。これは今までに報告されて来なかったことで、特に、CO_2やO_2が同時に発生することは応用の観点からも非常に興味深い。
測定系の製作に時間を費やしたがこれらの成果は逐次雑誌論文に発表される予定である。
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