研究課題/領域番号 |
12640339
|
研究種目 |
基盤研究(C)
|
配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
|
研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
武田 直也 東京大学, 物性研究所, 助手 (80242171)
|
研究期間 (年度) |
2000 – 2001
|
研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
|
配分額 *注記 |
3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
2001年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
2000年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
|
キーワード | 充填スクッテルダイト / 非フェルミ流体 / 強磁性 / 量子相転移 / 重い電子系 |
研究概要 |
CeRu4Sb12の低温における非フェルミ流体的振る舞いの起源の解明とサマリウム化合物の物質開発を行った。 CeRu4Sb12の磁場中比熱や電気抵抗などの測定によって、この物質が強磁性臨界点近傍にあり、低温における非フェルミ流体的振る舞いは磁性-非磁性転移の不安定性に起因する量子臨界現象であることが明らかにされた。また高分解能光電子分光により、状態密度が低温で減少し近藤半金属であることが示された。近藤半金属はf電子がフェルミ準位に位置していると考えられており、強磁性臨界現象が遍歴4f電子によると考えられる。 SmFe4Pl2の良質な単結晶の育成に成功し、強磁性転移を示す近藤格子であることが示された。強磁性転移を示す近藤格子は例が少なく、サマリウム化合物としては初めての物質である。SmRu4P12とSmOs4P12についても単結晶が得られたが、さらなる大型化が必要であり、物性研究は今後の課題として残された。
|