| 研究課題/領域番号 |
12650301
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 群馬大学 |
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研究代表者 |
安達 定雄 群馬大学, 工学部, 教授 (10202631)
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| 研究分担者 |
尾崎 俊二 群馬大学, 工学部, 助手 (80302454)
宮崎 卓幸 群馬大学, 工学部, 助教授 (80110401)
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| 研究期間 (年度) |
2000 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
2001年度: 100千円 (直接経費: 100千円)
2000年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
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| キーワード | 分光エリプソメトリー / フォトレフレクタンス / 複素誘電率 / 複素屈折率 / アモルファス / II-VI族化合物半導体 / CdS / Si / 誘電率 / III-V族化合物半導体 / エレクトロレフレクタンス / 真空蒸着 / CdTe |
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| 研究概要 |
1.ツインGrimm-Sommerfeld(GS)結晶と命名したZnIn_2Te_4およびZnGa_2Te_4およびCdGa_2Te_4について、以下を明らかにした。
(1)バルク結晶の成長に成功した。
(2)バルクアモルファスの成長が可能であるが、ツインGS結晶ゆえか、結晶成分もインクルージョンとして存在することを見出した。
(3)これらツインGS結晶あるいはツインGSアモルファス物質の光学研磨と分光エリプソメトリー測定による複素誘電率や複素屈折率の決定に成功した。
(4)ZnIn_2Te_4結晶についてはバンド計算も行い、理論および実験の両面から誘電率スペクトルを比較検討した。
(5)これらツインGS結晶におけるフォトルミネッセンス観測に成功した。
2.III-V族化合物半導体GaPおよびII-VI族化合物半導体CdTe、ZnTe、CdS、ZnOのフォトレフレクタンス測定により、不透明領域での臨界点パラメータの温度依存性を決定した。また、III-V族化合物半導体混晶Ga^<0.5>In^<0.5>Pについてのエレクトロレフレクタンス測定も行った。
3.ツインGS結晶のSi基板へのヘテロ接合成長を目的として、TMAH(有機アルカリ)NaF(塩基)やNH_4HF_2(酸)等の水溶液によるSi基板の前処理特性を、分光エリプソメトリー、原子間力顕微鏡、XPS(X線光電子分光法)や接触角測定で調べた。これらの知見を基に、Si基板へのスパッタリングによるGaN、InN結晶の成長も実際に試み、c-軸に強く配向したGaN、InN結晶薄膜を得た。
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