| 研究課題/領域番号 |
12750020
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| 研究種目 |
奨励研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 理化学研究所 |
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研究代表者 |
武内 道一 理化学研究所, 半導体工学研究室, 研究員 (60284585)
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| 研究期間 (年度) |
2000 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
2001年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
2000年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
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| キーワード | 化合物半導体 / 結晶成長 / 長波長発光素子 / 格子欠陥 / InGaAsN / 量子ドット / 長波長帯レーザー / アンチサーファクタント / クリティカルシックネス |
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| 研究概要 |
長波長帯半導体レーザー素子へ量子ドット構造を適応すべく計画した本研究における本年度の成果は以下のようになっている。
・アンチサーファクタントの結晶成長中における働き、転位との相関、物性的特質
アンチサーファクタントとは2次元成長を行うヘテロ構造系においても、3次元構造を形成することを可能にする結晶成長その場プロセスにおける新概念である。GaAs系に対しては窒素がその役目を果たし、供給量にて微小構造の制御が可能である。また、同様にGaN系半導体おいても、Siにて量子ドット構造の形成が確認できている。アンチサーファクタント導入による転位との相関関係を調べ、得にGaN系半導体では非常に効率のよい転位低減技法となることを突き止めている。
(1)微傾斜基板を用いることで3次元構造形成様式を制御できることを突き止めた。
(2)次元構造の初期密度の制御が、その後の結晶成長による膜品質に大きな影響を与えることを突き止めた。
このように、アンチサーファクタント量子構造の制御性、結晶品質に関して多くの知見を得た。
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