直接接触法による環境半導体(β-FsSi_2)薄膜の作成技術の確立

• 研究課題/領域番号: 12750030
• 研究種目: 奨励研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 表面界面物性
• 研究機関: 東京工業高等専門学校
• 研究代表者: 大野 秀樹 東京工業高専, 助教授 (20300543)
• 研究期間 (年度): 2000
• 研究課題ステータス: 完了 (2000年度)
• 配分額: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円); 2000年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)