Ge含有シリカガラスの光化学過程における遷移状態の解明

• 研究課題/領域番号: 12750598
• 研究種目: 奨励研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 無機材料・物性
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 高橋 雅英 京都大学, 化学研究所, 助手 (20288559)
• 研究期間 (年度): 2000 – 2001
• 研究課題ステータス: 完了 (2001年度)
• 配分額: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円); 2001年度: 800千円 (直接経費: 800千円); 2000年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
• キーワード: 光導波回路 / 光化学 / フォトリフラクティブ / グレーティング素子 / 波長多重 / 光通信 / シリカガラス / 紫外光レーザ / 光ファイバ / 色中心 / 欠陥 / Ge / Si

研究概要

光ファイバや平面型光導波回路に用いられるGe : SiO_2ガラスは基本的に酸素欠損型であり,酸素欠損型構造欠陥を内包している.ある種の酸素欠乏型欠陥は吸収端近傍に欠陥準位を導く.これらの欠陥種は強力な紫外光を入射することにより電子励起に基づく光化学反応を示すことが知られている.この光化学過程は光通信の重要なデバイスの一つであるファイバブラッググレーティング素子の形成に利用されている.しかしながら,多くの欠陥は構造モデルさえ特定されておらず,光化学過程の解明には至っていない.また,多くの欠陥準位が250nm付近に集中しており特定の光化学反応のみを選択的に励起し解明することは困難である.本研究では通常光化学反応を誘起する250nm付近の光源より長波長の近紫外光源を用いることにより特定の光化学反応のみを励起し,反応機構の解明および反応生成構造の解明を行った.
光吸収,電子スピン共鳴などの実験結果に加え非経験分子軌道計算の結果などを加味して考察することにより,従来は電子中心と考えられてきた欠陥が常磁性欠陥であること絵を実験的に証明した.さらに,当該常磁性欠陥の構造モデルを提案し,光化学過程に伴うマクロな物性の変化との相関を解明した.

研究成果

• [文献書誌] Tokuda Y: "Vibrational dynamics of glassy SiS_2 on the basis of molecular orbital calculations"J. Non-Cryst. Solids. 282. 256-264 (2001)
• [文献書誌] Enkhtuvshin D: "Photoelectrochemical Properties of the Sol-Gel Derived Ti_<1-X>V_XThin Film Electrodes"J. Ceram. Soc. Jpn.. 109. 666-670 (2001)
• [文献書誌] Uchino T: "E'-Centers in Amorphous SiO_2 Revisited : A New Look at an Old Problem"Pys. Rev. Lett.. 86. 5522-5525 (2001)
• [文献書誌] Takahashi M.: "Enhanced Photocurrent in Thin Film TiO_2 Electrodes Prepared by Sol-Gel Method"Thin Solid Films. 78. 2730-2732 (2001)
• [文献書誌] Uchino T: "Structure and Generation Mechanism of the Peroxy-Radical Defect in Amorphous Silica"Pys. Rev. Lett.. 86. 2730-2732 (2001)
• [文献書誌] Uchino T: "Structure and Generation Mechanism of the Peroxy-Radical Defect in Amorphous Silica"Pys. Rev. Lett.. 86. 4560-5463 (2001)
• [文献書誌] Uchino,T.: ""Structure, Energies, and Vibrational Properties of Silica Rings in SiO_2 Glass""Phys.Rev.B,. 61. 234-240 (2000)
• [文献書誌] Uchino,T.: ""Mechanism of Interconversion among Radiation-induced Defects in Amorphous Silicon Dioxide""Phys.Rev.Lett.. 86(9). 1777-1780 (2001)
• [文献書誌] Uchino,T.: ""Structure and Formation Mechanism of Ge E' Center from Divalent Defects in Ge-doped SiO_2 Glass""Phys.Rev.Lett.,. 84. 1475-78 (2000)
• [文献書誌] Uchino,T.: ""Structure and Vibrational Properties of Alkali Phosphate Glasses from Ab Initio Molecular Orbital Calculations""J.Non-Cryst.Solids. 263&264. 180-88 (2000)
• [文献書誌] Uchino,T.: ""Model of Oxygen-Deficiency-Related Defects in SiO_2 Glass","Phys.Rev.B. 62. 2983-86 (2000)
• [文献書誌] Uchino,T.: ""Structural Study on PbO-B_2O_3 Glasses by X-Ray Diffraction and ^<11>B MAS NMR Techniques""J.Am.Ceram.Soc.. 83. 2543-48 (2000)
• [文献書誌] Uchino,T.: ""Structure and Paramagnetic Properties of Defect Centers in Ge-Doped SiO_2 Glass : Localized and Delocalized Ge E' Centers""Phys.Rev.Lett.. 84. 15305-08 (2000)
• [文献書誌] Uchino,T.: ""Mechanism of Electron Trapping in Ge-Doped SiO_2 Glass""Phys.Rev.B. 62. 1475-78 (2000)