研究課題/領域番号 |
13450018
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
表面界面物性
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
高橋 敏男 東京大学, 物性研究所, 助教授 (20107395)
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研究分担者 |
中谷 信一郎 東京大学, 物性研究所, 助手 (40198122)
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研究期間 (年度) |
2001 – 2002
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研究課題ステータス |
完了 (2002年度)
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配分額 *注記 |
14,800千円 (直接経費: 14,800千円)
2002年度: 6,200千円 (直接経費: 6,200千円)
2001年度: 8,600千円 (直接経費: 8,600千円)
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キーワード | 表面構造 / 相転移 / X線回折 / Si(111) / Ag / HCT / IET / √<3>×√<3>構造 / √<3>X√<3>構造 / X線回析 |
研究概要 |
昨年度整備した低温(約50K)から高温(約1400K)まで温度を変えることのできる試料マニピュレーターを用い、高エネルギー加速器研究機構放射光施設(PF)のピームライン15Bに設置されている6軸表面X線回折装置を利用して微小角入射X線回折実験を行った。 超高真空装置内でSi(111)面の清浄表面である7x7構造を作製したのち、Agを蒸着して√<3x>√<3>構造を作くり、50Kから450Kまでいくつかの温度で測定を行った。低温では回折ピークの周りに散漫散乱が観測された。これは、IET(InEquivalent Trangle)モデルにおいて、互いに回転方向の異なるtwinに相当するドメインがX線のコヒーレント領域内に存在することから説明できる。この散漫散乱の温度依存性から、相転移温度は約150Kであることを見いだした。さらに、散漫散乱の半値幅からtwin domainの大きさは、50Kでは約50A程度であることも分かった。また、臨界指数が1/8に比べて非常に大きく、さらに相転移温度前後で回折ピークの積分反射強度が変化することから、この系の相転移は秩序・無秩序型ではなく、むしろ変位型であると思われる。現在、転移温度以下の他の温度でのデータの解析も進めている。また、相転移温度以上では、これまで提唱されている対称性の高いHCT(Honeycomb Chained Triangle)モデルにおいて温度因子の異方性を取り入れた方がIETモデルよりよく一致することが分かった。現在、さらに非調和項もいれて解析をおこなっている。また、CCDをもちいたCTR散乱の測定から表面に垂直方向の情報を出すことも試みている。
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