| 研究課題/領域番号 |
13450122
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
鳥海 明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (50323530)
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| 研究分担者 |
弓野 健太郎 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師 (40251467)
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2003
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
14,100千円 (直接経費: 14,100千円)
2001年度: 14,100千円 (直接経費: 14,100千円)
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| キーワード | シリコン |
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| 研究概要 |
基盤研究(B)(2)のスタートにあたって、当該分野の最先端の現状を精査するためにVLSIシンポジウム(京都で開催)に参加した。ここでは、技術的な側面が多く議論されたが、基礎的側面の取り組みの重要性が再認識された。そこには、異種材料の界面の電子状態をどう取り扱うかなども含まれている。
その後すぐに、本研究分野をより広く包含した基盤研究(S)の採択が通知されたため、基盤研究(B)(2)に関しては打ち切った。
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