| 研究課題/領域番号 |
13450141
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
水谷 孝 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (70273290)
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| 研究分担者 |
大野 雄高 名古屋大学, 工学研究科, 助手 (10324451)
岸本 茂 名古屋大学, 工学研究科, 助手 (10186215)
前澤 宏一 名古屋大学, 工学研究科, 助教授 (90301217)
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2002
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| 研究課題ステータス |
完了 (2002年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,900千円)
2002年度: 3,900千円 (直接経費: 3,900千円)
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| キーワード | GaN HEMT / Si_3N_4保護膜 / 電流コラプス / 温度上昇 / 顕微ラマン / ゲートリーク電流 / GaN MISHEMT / 電子ビーム描画 / 電流しゃ断周波数 / 実効電子速度 / 低周波雑音 / EL発光 / 電界集中 / 高温動作 |
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| 研究概要 |
本研究では極短ゲートGaN HEMTの実現を目的に、そのデバイス製作技術を検討するとともに、GaN HEMTの特性評価をとおして特性向上の課題を検討した。主要な結果は以下のとおりである。
1.GaN HEMTの表面をSi_3N_4膜で保護することにより高出力化の制限要因となっていた電流コラプスを抑制できることを明らかにした。
2.GaN HEMTの高出力化にとって重要な動作時の素子温度上昇を測定する方法として顕微ラマン法を検討し、本方法が温度測定に有用であることを示すとともに、ゲ_ト端で温度上昇が大きいことを示した。
3.GaN HEMTではゲートリーク電流が大きいこと、ゲート下にSiN_3絶縁膜を挿入したGaN MISHEMT構造により、ゲートリーク電流を3桁低減できることを示した。
4.電子ビーム描画を用いたGaNHEMTの短ゲート化を検討し、0.2μmT型ゲートにより電流遮断周波数54GHを実現した。
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