| 研究課題/領域番号 |
13450329
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
反応・分離工学
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
足立 元明 大阪府立大学, 先端科学研究所, 教授 (40100177)
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| 研究分担者 |
奥山 喜久夫 広島大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00101197)
津久井 茂樹 大阪府立大学, 先端科学研究所, 講師 (40207353)
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2003
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| 研究課題ステータス |
完了 (2003年度)
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| 配分額 *注記 |
14,100千円 (直接経費: 14,100千円)
2003年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
2002年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
2001年度: 10,700千円 (直接経費: 10,700千円)
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| キーワード | 減圧CVD / 薄膜 / イオンクラスター / UV励起 / 光電子放出 / イオン化 / 減圧 |
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| 研究概要 |
本研究では、イオン化CVD法の減圧CVD成膜への適応を試みた。具体的には、基板加熱Cold Wall型減圧CVD成膜装置を作成し、Tetraethylorthosilicate (TEOS)/O_3反応による絶縁膜形成におよぼすTEOS蒸気のイオン化の影響を調べた。イオン発生には、UV励起/光電子放出法と放電法について検討した。光電子放出法では、低圧水銀ランプおよびエキシマレーザーをUV光源として用いたときの光電子放出量を種々の圧力で測定し、光電子が最も高密度で発生する条件を検討した。放電法では、減圧場に高密度イオンを導入するため、音速ジェットイオナイザーを開発し、その放電特性を調べた。光電子放出法と放電法を用いてTEOS蒸気をイオン化しTEOS/O_3減圧CVDによる絶縁膜形成を行い、成膜速度、下地依存性、ギャップフィリング、流動性について検討した。
得られた結果を下記に示す。
(1)基板加熱Cold Wall型減圧CVD成膜装置を試作した。
(2)低圧水銀ランプを用い、光電子放出材(金属)を種々に変えた実験では、Au蒸着膜によるイオン発生が最も安定していた。
(3)KrFエキシマレザーによる光電子放出は、時間経過により激しく減少した。
(4)UV源に低圧水銀ランプ、光電子放出材にAu膜を用いた薄膜合成では、成膜速度を20%改善することができた。
(5)イオン源として新たに開発した音速ジェットイオナイザーは、10^<10>cm^<-3>の高濃度イオンを発生した。
(6)音速ジェットイオナイザーを用いて形成した膜の成膜速度は、イオン化により一桁増加し、下地依存性およびギャップフィリングが改善された。しかし、流動性は発現しなかった。
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