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原子炉照射環境計測の高度化のための照射履歴記憶素子の開発

研究課題

研究課題/領域番号 13480139
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 原子力学
研究機関東北大学

研究代表者

阿部 勝憲  東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70005940)

研究分担者 長谷川 晃  東北大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (80241545)
佐藤 学  東北大学, 大学院・工学研究科, 助手 (40226006)
藤原 充啓  東北大学, 大学院・工学研究科, 助手 (60333861)
研究期間 (年度) 2001 – 2003
研究課題ステータス 完了 (2003年度)
配分額 *注記
15,200千円 (直接経費: 15,200千円)
2003年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
2002年度: 3,700千円 (直接経費: 3,700千円)
2001年度: 9,300千円 (直接経費: 9,300千円)
キーワード軽水炉炉内環境モニター / 照射温度履歴 / 炭化硅素 / イオンビーム加工 / 軽イオン照射 / ブリスタリング / モニター材料 / イオンビーム応用 / 炭化珪素 / 原子炉照射環境 / 原子炉材料 / 温度モニタ / 温度履歴 / イオン照射 / 表面微細加工 / 炭化ケイ素
研究概要

温度履歴を検出するために、炭化珪素の試験片上に銅メッシュを用いてマスキングをし、照射領域と非照射領域を作ったものに、ヘリウムイオンを室温で3MeVのエネルギーで注入し表面にはじき出し損傷によるスエリング領域を作製し、この試料に対して、最高1200℃までの加熱を行い、照射領域の剥離挙動とその他の領域の表面剥離の挙動を調べ、温度履歴検出性能について調べてきた。これまでに剥離が顕著になる温度がヘリウムの照射量に対して異なること、特に900℃までに剥離を起こさない低照射量の場合、その後の900℃の加熱によっても剥離が起こらないことが明らかとなっている。本年度はヘリウムを注入した基板の材料による挙動を調べるために、これまで使用していた多結晶炭化珪素(β-SiC)に加えて、より高純度でかつ結晶粒界の影響のない単結晶炭化珪素(α-SiC)への試験を行った。その結果昇温脱離スペクトルの解析では、粒界の有無によるヘリウムの放出挙動に大きな変化は認められなかった。1200℃以上の焼鈍ではキャビティが粒界にトラップされることが我々のこれまでの研究で明かになっているが、温度履歴モニターに関わる表面隆起領域の体積変化や剥離が顕著な数百度以下の温度領域では、基板の結晶性の影響はほとんどないと結論された。
これらの結果とこれまで得られた結果を基に、照射環境下における温度履歴記憶素子としての可能性を検討した。その結果、室温でHeイオンを照射したSiCの加熱による表面剥離と照射欠陥の回復との関連と検討した。その結果、表面剥離挙動の温度依存性と、Heイオン照射のフルエンス依存性から、マイクロメッシュを使って多結晶のβ-SiC上に570keVまたは1.7MeVのエネルギーで0.5〜1.2x10^<22>ions/m^2のHeイオンを室温で照謝することで作製した微小隆起配列をもつ素子を用いて、その加熱後の表面剥離の挙動を観察することで、約300〜1000℃までの範囲で加熱温度の推定が可能となると考えられる。

報告書

(4件)
  • 2003 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2002 実績報告書
  • 2001 実績報告書
  • 研究成果

    (10件)

すべて 2004 2002 2001 その他

すべて 雑誌論文 (8件) 文献書誌 (2件)

  • [雑誌論文] Study of Hydrogen Effects on Microstructure Developrnent of SiC Base Materials under Simultaneous Irradaition with He- and Si-Ion Irradiation Conditions2004

    • 著者名/発表者名
      A.Hasegawa, S.Miwa, S.Nogami, K.Abe et al.
    • 雑誌名

      J.Nuclear Materials 329-333

      ページ: 582-586

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2003 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Mechanical and Structural Property Changes of Monolithic SiC and Advanced SiC/SiC Composites due to Low Temperature He+ion Irradiation and Post Irradiation High Temperature Annealing2004

    • 著者名/発表者名
      S.Nogami, S.Miwa, A.Hasegawa, K.Abe
    • 雑誌名

      America Standard for Testing Materials Special Technical Publication 1447

      ページ: 655-669

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2003 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Study of Hydrogen Effects on Microstructure Development of SiC Base Materials under Simultaneous Irradaition with He- and Si-Ion Irradiation Conditions2004

    • 著者名/発表者名
      A.Hasegawa, S.Miwa, S.Nogami, K.Abe et al.
    • 雑誌名

      J.Nuclear Materials 329-333

      ページ: 582-586

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2003 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Mechanical and structural property change of monolithic SiC and advanced SiC/SiC composites due to low temperature He+ -ion irradiation and post-irradiation high-temperature annealing2004

    • 著者名/発表者名
      S.Nogami, S.Miwa, A.Hasegawa, K.Abe
    • 雑誌名

      America Standard for Testing Materials Special Technical Publication 1447

      ページ: 655-669

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2003 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Analysis of Possible Deformation Mechanisms in Helium-Ion Irradiated SiC2002

    • 著者名/発表者名
      S.Nogami, S.Ohtsuka, A.Hasegawa, K.Abe
    • 雑誌名

      J.Nuclear Materials 307-311

      ページ: 1178-1182

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2003 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Analysis of Possible Deformation Mechanisms in Helium-Ion Irradiated SiC2002

    • 著者名/発表者名
      S.Nogami, S.Ohtsuka, A.Hasegawa, K.Abe
    • 雑誌名

      J.Nuclear Materials vol307-311

      ページ: 1178-1182

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2003 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Surface Morphology Changes in a SiC/SiC Composites as Caused by Simultaneous Triple-Ion Beam Irradiation2001

    • 著者名/発表者名
      S.Nogami, A.Hasegawa, K.Abe et al.
    • 雑誌名

      Material Transactions 42

      ページ: 171-175

    • NAID

      130004451330

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2003 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Surface Morphology Changes in a SiC/SiC Composites as Caused by Simultaneous Triple-Ion Beam Irradiation2001

    • 著者名/発表者名
      S.Nogami, A.Hasegawa, K.Abe et al.
    • 雑誌名

      Material Transactions vol.42

      ページ: 171-175

    • NAID

      130004451330

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2003 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Nogami, S.Ohtsuka, M.B.Toloczko, A.Hasegawa, K.Abe: "Analysis of possible deformation mechanisms in helium-ion irradiated SiC"Journal of Nuclear Materials. 307・311 Part2. 1178-1182 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] S.Nogami, A.Hasegawa et.al.: "Surface Morphology Changes in a SiC/SiC Composite as Caused by Simultaneous Triple-Ion-Beam Irradiation"Materials Transactions, JIM. 42(1). 171-175 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書

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公開日: 2001-04-01   更新日: 2016-04-21  

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