| 研究課題/領域番号 |
13554026
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
機能・物性・材料
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
魚崎 浩平 北海道大学, 大学院・理学研究科, 教授 (20133697)
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| 研究分担者 |
近藤 敏啓 お茶の水女子大学, 理学部, 助教授 (70240629)
八木 一三 北海道大学, 大学院・理学研究科, 講師 (40292776)
國松 敬二 エクォスリサーチ(株), 札幌研究室, 研究室長
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2003
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| 研究課題ステータス |
完了 (2003年度)
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| 配分額 *注記 |
13,100千円 (直接経費: 13,100千円)
2003年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
2002年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
2001年度: 9,100千円 (直接経費: 9,100千円)
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| キーワード | 電気化学 / 原子層エピタキシャル成長 / ナノクラスター / カドミウムカルコゲナイド / 金 / 自己組織化単分子層 / 多角金属錯体 / 二次高調波発生分光 / 固体 / 溶液界面 / SFG / 可視光ポンプ-SFGプローブ法 / 走査型プローブ顕微鏡 / 表面X線散乱法 / エピタキシャル成長 / 超格子構造形成法 / 金単結晶電極 / in situ STM / AFM / X線回析 |
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| 研究概要 |
1.電気化学的原子層エピタキシャル成長の機構と形成層の特性を明らかにするために、Au(111)およびAu(100)電極上へのPdの電析過程を電気化学過渡応答法および二次高調波発生分光法により追跡し、特異な触媒活性が見られたサブモノレーヤー領域で特徴的な電子構造をとることがわかった。
2.光アシスト電析法により、Si(111)表面にCdTeをエピタキシャル成長させることに成功した。このようにして作製したエピタキシャル層は非常に高い発光特性を示した。
3.水素で終端化されたSi(111)とSi(100)表面へのAu、Pt、PdやCuなどの金属の成長過程をin situ AFM測定で原子レベルで追跡し、電気化学および反射赤外分光法による結果をあわせてエピタキシャル成長の可能性を探った。
4.CdとSを交互に電気化学的に析出させ、CdSの電気化学的原子層エピタキシャル成長を行い、次いで酸素を含む水溶液中で偏光照射することによって、CdS層の異方的光溶解を行い、ナノメートルレベルの筋構造を形成することに成功した。
5.メチル、カルボン酸、あるいはフェロセンを末端基とするチオールで保護した金ナノクラスターを含む溶液と高分子電解質あるいは金属陽イオンを含む溶液に、金あるいはITOを交互に浸漬することによって電気化学活性な金ナノクラスターの多層集積に成功した。また、逆ミセル法で調製したCdSナノクラスターをスルホン酸を末端基とするチオールで保護し、金ナノクラスターの場合と同様に集積した。いずれの場合もすべてのナノクラスターが電気化学活性を示した。
6.COが配位したRuの多核錯体の自己組織化単分子層のRu部位を電気化学的に酸化することによってCOを脱離させ、ついで配位部位を持ったRuの多核金属錯体と反応させるという操作を繰り返すことによって、多核金属錯体の電気化学的分子層エピタキシャル成長に成功した。
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