| 研究課題/領域番号 |
13555007
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
森田 瑞穂 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50157905)
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| 研究分担者 |
有馬 健太 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手 (10324807)
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2004
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| 研究課題ステータス |
完了 (2004年度)
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| 配分額 *注記 |
13,300千円 (直接経費: 13,300千円)
2004年度: 3,700千円 (直接経費: 3,700千円)
2003年度: 2,900千円 (直接経費: 2,900千円)
2002年度: 3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
2001年度: 3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
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| キーワード | シリコン表面 / 洗浄 / 昇温 / 水 / 酸素 / 光照射 / シリコン表面反応制御 / ウルトラクリーン洗浄 / 光照射効果 |
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| 研究概要 |
超高純度酸素ガス中のシリコンウェハの赤外光照射加熱により極めて薄いシリコン酸化膜を形成し、極めて薄いシリコン酸化膜のトンネル電流、絶縁破壊電圧が、熱酸化前のシリコンウェハの超音波照射超純水リンス時間に依存することを明らかにしている。10分間の超音波照射超純水リンスが、絶縁性能が高い極めて薄いシリコン酸化膜の形成に最適であることを見いだしている。極めて薄いシリコン酸化膜の絶縁特性は、超音波照射超純水リンス工程により決定されるシリコンウェハ表面のマイクロラフネスに敏感であることを確認している。熱酸化により極めて薄いシリコン酸化膜が表面に形成されたシリコンウェハを大気中に放置し、シリコン酸化膜表面に付着した有機物を同定している。シリコンウェハのオゾン超純水リンスにより除去される有機物と除去されにくい有機物があることを明らかにしている。ウェットエッチングにおいて、シリコンのバンドギャップエネルギーより大きいエネルギーの光を含む紫外光のシリコンウェハへの照射によりエッチング速度が遅くなり、エッチング表面が平坦になることを見いだしている。水素終端表面シリコンウェハを超純水中に浸漬させて、シリコンのバンドギャップエネルギーより大きいエネルギーの半導体レーザー光をシリコンウェハに照射することにより、シリコン酸化膜が形成されることを見いだしている。形成されたシリコン酸化膜をエッチングすることにより、シリコン表面の加工が可能であることを示唆している。
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