| 研究課題/領域番号 |
13555097
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 姫路工業大学 |
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研究代表者 |
清水 勝 姫路工業大学, 工学研究科, 助教授 (30154305)
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| 研究分担者 |
藤森 敬和 ローム株式会社, 半導体デバイス研究開発部, 研究員
藤沢 浩訓 姫路工業大学, 工学研究科, 助手 (30285340)
丹生 博彦 姫路工業大学, 工学研究科, 教授 (40047618)
門倉 秀公 株式会社高純度化学研究所, ファインケミカル部, 研究員
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2002
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| 研究課題ステータス |
完了 (2002年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 5,200千円)
2002年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
2001年度: 3,100千円 (直接経費: 3,100千円)
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| キーワード | 低音成長 / MOCVD法 / PZT薄膜 / Ir薄膜 / 段差被覆性 / 強誘電体キャパシタ / 立体構造キャパシタ / 強誘電体薄膜メモリ / 低温成長 / Ir系電極 / PZTキャパシタ / NOCVD法 / Pb(Zr, Ti)O_3(PZT)薄膜 / 段差被膜性 |
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| 研究概要 |
当該年度に行った強誘電体PZT及びIr電極薄膜の低温成長と立体構造メモリへの応用に関する研究においては、以下の成果が得られた。
1.PbTiO_3(PTO)を初期核とするPb(Zr,Ti)O_3(PZT)の二段階MOCVD成長法により、370℃という低温で強誘電性PZT薄膜を得ることができた。
2.PTO初期核の結晶性は、その上に成長するPZTの結晶性や強誘電性に大きな影響を及ぼすことが分かった。
3.キュリー温度以下の低温で成長させたPZT膜は、高温で得られたものに比べcドメインの体積分率が小さいことが分かった。
3.新規液体Ir原料(Ir(EtCp)(cod))を用いたMOCVD成長法により、250-350℃という低温で鏡面かつ高配向のIr薄膜が得られた。スパッタ法では同等のIr薄膜は530℃という高温でしか得られなかった。
4.IrのMOCVD成長において、300℃以下の成長温度ではある一定時間Ir膜が堆積しないインキュベーション時間が観察され、成膜温度の増加とともに短くなることが分かった。
5.PZT薄膜及びIr電極膜の低温MOCVD成長技術を組み合わせ、三次元立体Ir/PZT/Ir/SiO_2/Si構造キャパシタを全てMOCVD法により、400℃以下で作製することができた。三次元キャパシタは、PZT及び上部・下部Ir電極とも80%以上の優れた段差被覆性を示し、平面構造と同等の電気特性を示した。
6.MOCVD法のみで強誘電体キャパシタを400℃以下の低温で作製する技術を開発すると同時に、超高集積化に向けた立体構造キャパシタへの展開が可能であることを実証した。
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