| 研究概要 |
ポリビニルピロリドン(PVP)を含有するBa(CH_3COO)_2-Ti(OC_2H_5)_4-CH_3COOH-H_2O-C_2H_5OH溶液をコーティング液とし、1回のディップコーティング操作によってBaTiO_3薄膜を作製した。210℃以下の温度での溶媒とCH_3COOHの蒸発、210°-360℃でのPVPの分解、440℃以下の温度でのCH_3COO^-の分解、500°-610℃での結晶化を経てゲル膜がBaTiO_3セラミック薄膜に変換されることを明らかにした。また,PVPを含有するPb(CH_3COO)_2・3H_2O-Zr(OC_3H_7^n)_4-Ti(OC_3H_7^i)_4-H_2O-CH_3COOH-CH_3OC_2H_4OH-n-C_3H_7OH溶液から1回のディップコーティング操作によってPZT膜を作製した。PVPとCH_3COO^-が250°-320℃で熱分解し,Pb_3(CO_3)_2(OH)_2が350℃付近で析出し,残留炭素が36°-460℃で燃焼し,PZT相が550℃付近で生成することがわかった。
PVPを含有するPb(NO_3)_2-Zr(OC_3H_7^n)_4-Ti(OC_3H_7^i)_4溶液から作製されるゲル膜を80°,300°,700℃で順次熱処理することによって,厚さ0.75μmのPZT薄膜を1回のコーティング操作で作ることができた。さらに,濃縮した溶液をコーティング液とすると,厚さ2.2μmのPZTが得られ,60Hzでの残留分極,抗電場はそれぞれ21μCcm^<-2>, 90kVcm^<-1>であった。また,同様の方法で,亀裂のない厚さ0.77及び0.40μmのBaTiO_3及びBaBi_4Ti_4O_<15>薄膜を作製することができ,1kHzでの誘電率はそれぞれ310,380であった。
アミド基を有する有機高分子を含有す金属塩水溶液をコーティング液とし、厚さ0.07-0.1μmのTiO_2およびZrO_2薄膜が作製できることを示した。
|
