| 研究課題/領域番号 |
13558055
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
プラズマ理工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
後藤 誠一 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90029140)
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| 研究分担者 |
木内 正人 (独法)産業技術総合研究所, 光技術研究部門, 主任研究員
大久保 衛 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手 (50243168)
杉本 敏司 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (70187665)
阿川 義昭 株式会社アルバック, 超高真空事業部, 技術課長(研究職)
阿川 義明 (株)アルバック, 超高真空事業部, 課長(研究職)
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2002
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| 研究課題ステータス |
完了 (2002年度)
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| 配分額 *注記 |
9,400千円 (直接経費: 9,400千円)
2002年度: 2,600千円 (直接経費: 2,600千円)
2001年度: 6,800千円 (直接経費: 6,800千円)
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| キーワード | SiC成膜 / 有機金属分子イオンビーム / ダイアモンド成膜 / 炭素イオンビーム / FRCプラズマ / SiC / メチルシリセニウムイオン / ヘテロエピタキシャル成長 / 高速中性粒子 |
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| 研究概要 |
ワイドギャップ半導体研究の基礎として、シリコン基盤上にSiC結晶膜をヘテロエピ成長させるイオンビーム技術を高度化し、成膜の特性評価を行うとともに、その技術成果を他の研究にも波及させることを目指して次の3項目を具体的な目的と定めた。各項目にその研究実績を述べる。
目的(1):低速イオンビーム中に混在する高速性粒子成分の低減とビーム輝度の向上。
実績(1):ビーム輸送管内の絞り形状を改良し、また四重極結像系を導入した。アルゴンを評価ビーム種として、高速中性粒子成分の混在率が0.5%(目標2%に対し)、輝度は2倍(10μA/cm^2以上)に向上した。(論文は準備中)
目的(2):SiC成膜温度の低温化、結晶配向の均一性向上並に昭射エネルギー依存性を調べる。
実績(2):100eV SiC^+_3ビーム昭射により基板温度500℃で結晶膜を得た。10〜100eVでエネルギーを変化させ、50eV前後で配向性が変わることを見出した。AFMによる評価では、表面担さは、0.5nm程度であり、配向の一様性もよい。但し、ある特別な条件下では200nm四方のアイランド成長が見られた。(論文は準備中)
目的(3):ビーム技術の応用として、他種イオンによる膜成長と、高温プラズマ実験へのスピンオフを検討する。
実績(3):c^+ビームのみにより基板上に直接ダイアモンド膜を成長させるため、試料冷却(液体窒素温度)機構を取り付けた。c^+ビームの引き出しには成功したが、ダイアモンド膜を得るには至っていない。また、高温プラズマ(FRC)への応用として、別のイオン源により入射実験を行った。これまでのFRCプラズマ閉じ込めスケーリングの欠落部分を補うデータが得られた。
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