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Si系歪みヘテロ構造用擬似基板形成およびこれを用いた超高移動度FETに関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 13650007
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関山梨大学

研究代表者

中川 清和  山梨大学, 工学部, 教授 (40324181)

研究分担者 白木 靖寛  東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00206286)
研究期間 (年度) 2001 – 2002
研究課題ステータス 完了 (2002年度)
配分額 *注記
3,200千円 (直接経費: 3,200千円)
2002年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
2001年度: 2,600千円 (直接経費: 2,600千円)
キーワードSi系歪みヘテロ構造 / 擬似基板 / 超高移動度FET / 化学機械研磨法 / イオン注入 / 歪み緩和 / 擬似基 / 科学機械研磨法
研究概要

Si基板/歪緩和SiGeバッファー層/歪Siチャネル層という構造を有する超高移動度素子作製用の歪緩和SiGeバッファー層の新形成法開発を目指し2年計画で研究を推進し、以下の成果を得た。
1.イオン注入によりSi基板中に形成された欠陥層がその上に成長するSiGe層の歪緩和を大幅に促進する。
2.歪緩和量は加速電圧に依存し、50keV程度で最大となる。この依存性は、低加速電圧では、欠陥層が基板表面近くに存在するために、基板清浄化の際に欠陥濃度が減少したためと考えている。また、90keV程度では、欠陥層が基板表面から深い位置に形成され、その上に成長したSiGeには有効な転位源として働いていないと理解される。
3.歪緩和量はドーズ量に依存し、ドーズ量1x10^<15>cm^<-2>、注入エネルギー50keVにおいて、膜厚100nmで90%以上の緩和率を得ることができた。
4.断面構造の電子顕微鏡観察から、注入したアルゴンの飛程端(End of Range)に欠陥が多数観察されており、これが緩和促進に寄与しているものと考えている。
さらに、歪緩和に伴う表面荒れの抑制についてSiGe用の化学機械研磨法を開発し、以下の成果を得た。
1.コロイダルシリカを研磨剤として用い、研磨後の洗浄法を検討し、研磨圧力150g/平方センチ程度で200nm研磨し、その後NH_4OH+H_2O_2+H_2O(2:9:150)、温度20℃で洗浄することにより、平均表面荒れ0.5nmの極めて平坦な緩和SiGe層を実現した。
2.上記方法により作製した平坦SiGeバッファー層上に100nmのSiGeを再成長し、成長膜の表面が再成長により荒れないことを確認し、原子層オーダーで平坦な歪みヘテロ構造用の擬似基板(緩和SiGeバッファー層)形成の重要な要素技術を開発した。
3.平坦化の有無だけが異なるSiGe/歪Si/SiGe構造を作製し電子移動度を比較したところ、平坦化により移動度が4倍向上することを確認した。

報告書

(3件)
  • 2002 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2001 実績報告書
  • 研究成果

    (20件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (20件)

  • [文献書誌] K.Nakagawa et al.: "Reverse temperature dependence of Sb sticking on Si(100) surfaces"Material Science and Engineering B. 89巻. 238-240 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Sawano et al.: "Surface smoothing of SiGe strained-relaxed buffer layer by chemical mechanical polishing"Material Science and Engineering B. 89巻. 406-409 (2002)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Irisawa et al.: "Ultrahigh room-temperature hole Hall and effective mobility in Si0.3Ge0.7/Ge/Si0.3Ge0.7 heterostructures"Appl. Phys. Lett.. 81巻. 847-849 (2002)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Sawano et al.: "Mobility Enhancement in Strained Si Modulation-Doped Structures by Chemical Mechanical Polishing"Appl. Phys. Lett.. 82巻. 412-414 (2002)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Sawano et al.: "Planarization of SiGe Virtual Substrates by CMP and its Application to Strained Si Modulation-Doped Structures"J. Cryst. Growth. 251巻. 693-696 (2003)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Irisawa et al.: "Growth of SiGe/Ge/SiGe Heterostructures with Ultrahigh Hole Mobility and their Device Application"J. Cryst. Growth. 251巻. 670-675 (2003)

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    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Sawano, K. Kawaguchi, T. Ueno, S. Koh, K. Nakagawa, Y. Shiraki: "Surface smoothing of SiGe strain-relaxed buffer layers by chemical mechanical polishing"Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology. 89. 406-409 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Nakagawa, S. Yamaguchi, N. Sugii, Y. Shiraki: "Reverse temperature dependence of Sb sticking on Si(100) surfaces"Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology. 89. 238-240 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Irisawa, S. Tokumitsu, T. Hattori, K. Nakagawa, S. Koh, Y. Shiraki: "Ultrahigh room-temperature hole Hall and effective mobility in Si0.3Ge0.7/Ge/Si0.3Ge0.7 heterostructures"Appl. Phys. Lett.. 81. 847-849 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, Y. Hirose, T. Hattori, and K. Nakagawa: "Mobility Enhancement in Strained Si Modulation-Doped Structures by Chemical Mechanical Polishing"Appl. Phys. Lett.. 82. 412-414 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Sawano, K. Arimoto, Y. Hirose, S. Koh, N. Usami, K. Nakagawa, T. Hattori, and Y. Shiraki: "Planarization of SiGe Virtual Substrates by CMP and its Application to Strained Si Modulation-Doped Structures"J. Cryst. Growth. 251. 693-696 (2003)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Irisawa, S. Koh, K. Nakagawa, and Y. Shiraki: "Growth of SiGe/Ge/SiGe Heterostructures with Ultrahigh Hole Mobility and their Device Application"J. Cryst. Growth. 251. 670-675 (2003)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Sawano, Y. Hirose, S. Koh, K. Nakagawa, T. Hattori, and Y. Shiraki: "Relaxation Enhancement of SiGe Thin Layers by Ion Implantation into Si Substrates"J. Cryst. Growth. 251. 685-688 (2003)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S. Koh, K. Murata, T. Irisawa, K. Nakagawa, and Y. Shiraki: "Hole Transport Properties of B-Doped Relaxed SiGe Epitaxial Films Grown by Molecular Beam Epitaxy"J. Cryst. Growth. 251. 689-692 (2003)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Irisawa, M. Myronov, O. A. Myronov, E.H.C. Parker, K. Nakagawa, M. Murata, S. Koh, and Y. Shiraki: "Hole Density Dependence of Effective Mass, Mobility and Transport Time in Strained Ge Channel Modulation-Doped Heterostructures"Appl. Phys. Lett.. 82. 1425-1427 (2003)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Nakagawa et al.: "Reverse temperature dependence of Sb sticking on Si(100) surfaces"Material Science and Engineering B. 89巻. 238-240 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] K.Sawano et al.: "Surface smoothing of SiGe strained-relaxed buffer layer by chemical mechanical polishing"Material Science and Engineering B.. 89巻. 406-409 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] T.Irisawa et al.: "Ultrahigh room-temperature hole Hall and effective mobility in Si0.3Ge0.7/Ge/ Si0.3Ge0.7 heterostructures"J.Appl.Phys.. 81. 847-849 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] K.Nakagawa et al.: "Reverse temperature dependence of Sb sticking on Si(100)surfaces"Material Science and Engineering B. 89巻. 238-240 (2002)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] K.Sawano et al.: "Surface smoothing of SiGe strained-relaxed buffer layer by chemical mechanical polishing"Material Science and Engineering B. 89巻. 406-409 (2002)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書

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公開日: 2001-04-01   更新日: 2016-04-21  

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