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タンタル系固溶体合金の陽極酸化膜による薄膜コンデンサの作製とその信頼性の評価

研究課題

研究課題/領域番号 13650329
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関北見工業大学

研究代表者

佐々木 克孝  北見工業大学, 工学部, 教授 (80091552)

研究分担者 川村 みどり  北見工業大学, 工学部, 助手 (70261401)
阿部 良夫  北見工業大学, 工学部, 助教授 (20261399)
研究期間 (年度) 2001 – 2002
研究課題ステータス 完了 (2002年度)
配分額 *注記
3,200千円 (直接経費: 3,200千円)
2002年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2001年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
キーワードHf陽極酸化膜 / Zr陽極酸化膜 / Ta-Zr合金陽極酸化膜 / 薄膜キャパシタ / Schottky伝導 / Poole-Frenkel伝導 / 高誘電率化 / 高耐熱キャパシタ / 陽極酸化膜キャパシタ / 電気伝導機構 / 低損失特性 / Ta-Zr合金膜 / 耐熱性 / 漏れ電流特性
研究概要

タンタルと対をなして固溶体合金を作製しようとしているHfやZrの陽極酸化膜の諸特性については、近年high-k材料として注目されてるにも拘らず、その詳細は充分に明らかでない。そこで最初に、Hf及びZrの陽極酸化膜について、X線回折の検討と共に、そのキャパシタ特性と漏れ電流特性について基礎的検討を行った。その結果、Hf及びZrのいずれの場合にも、Ta陽極酸化膜より優れたキャパシタ特性が得られることが明らかとなった。加えて、Hf陽極酸化膜の電気伝導機構はSchottky伝導に従うが、Zr陽極酸化膜のそれは、Poole-Frenkel伝導に従うことが知られた。同時に、熱的安定性の点から両者を比較したところ、Hfの方がZrの場合よりも優れていることが明らかとなった。
次に、固溶体としてのTa-Zr合金に着目して陽極酸化膜キャパシタを作製し、そのキャパシタ特性と漏れ電流特性を酸化膜厚の低減の効果と耐熱性との関連から検討した。その結果、均一な複合酸化物が得られるばかりでなく、Taの場合より高耐熱化が可能となり、加えて、薄層化を図っても高誘電率な特徴を保持したまま、低損失キャパシタが得られることが明らかとなった。この事に関連して、Zr陽極酸化膜自体の耐熱性は、Taのそれより幾分優れている程度にすぎないにも拘らず、Ta-Zr合金とすることで夫々が単体状態にある場合よりも高耐熱化が可能となった理由は、合金化に伴う効果と、電気伝導機構がPoole-FrenkelからSchottkyに変わることと密接に関連するものと推察した。以上の結果は、信学論誌とJJAP誌に計3編の学術論文として公表した。

報告書

(3件)
  • 2002 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2001 実績報告書
  • 研究成果

    (11件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (11件)

  • [文献書誌] 渡辺, 後藤, 山根, 佐々木, 阿部: "Ta-Zr合金による陽極酸化膜キャパシタの電気的特性に及ぼす熱処理温度と酸化膜厚低減の影響"電気情報通信学会論文誌(C). Vol.85-C No.6. 455-461 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Yanagisawa, Kamijyo, Shinkai, Sasaki, Abe, Yamane: "Electrical properties of HfO_2 thin insulating film prepared by anodic oxidation"Jpn. J. Appl. Phys., Pt.1. Vol.41 No.8. 5284-5287 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kamijyo, Onozuka, Shinkai, Sasaki, Yamane, Abe: "Capacitor property and leakage current mechanism of ZrO_2 thin dielectric films prepared anodic oxidation"Jpn. J. Appl. Phys., Pt.1. Vol.42 No.7A(印刷中). (2003)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] D. Watanabe, T. Goto, M. Yamane, K. Sasaki, Y. Abe: "Influence of heat-treatment temperature and reduction of oxide thickness on electrical properties of Ta - Zr anodized thin film capacitor"Trans., IEICE. Vol. J85-C, No. 6. 455-461 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H. Yanagisawa, M. Kamijyo, S. Shinkai, K. Sasaki, Y. Abe, M. Yamane: "Electrical properties of HfO_2 thin insulating film prepared by anodic oxidation"Jpn. J. Appl. Phys.. Pt. 1, Vol. 41, No. 8. 5284-5287 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M. Kamijyo, T. Onozuka, S. Shinkai, K. Sasaki, M. Yamane, Y. Abe: "Capacitor property and leakage current mechanism of ZrO_2 thin dielectric films prepared anodic oxidation"Jpn. J. Appl. Phys.. Pt.1, Vol.42, No.7A, in press. (2003)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 渡辺, 後藤, 山根, 佐々木, 阿部: "Ta-Zr合金による陽極酸化膜キャパシタの電気的特性に及ぼす熱処理温度と酸化膜厚低減の影響"電子情報通信学会論文誌(C). Vol.J85-CNo.6. 455-461 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Yanagisawa, Kamijyo, Shinkai, Sasaki, Abe, Yamane: "Electrical properties of HfO_2 thin insulating film prepared by anodic oxidation"Jpn.J.Appi.Phys., Pt.1. Vol.41 No.8. 5284-5287 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Kamijyo, Onozuka, Shinkai, Sasaki, Yamane, Abe: "Capacitor property and leakage current mechanism of ZrO_2 thin dielectric films prepared by anodic oxidation"Jpn.J.Appi.Phys., Pt.1. (accepted). (2003)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] 渡邊, 後藤, 山根, 佐々木, 阿部: "Ta-Zr合金による陽極酸化膜キャパシタの電気的特性に及ぼす熱処理温度と酸化膜厚低減に影響"電子情報通信学会論文誌(C). (掲載予定). (2002)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] 渡邊, 後藤, 山根, 佐々木, 阿部: "Ta-Zr合金による熱的に安定な高誘電率陽極酸化膜キャパシタの作製"電子情報通信学会春季全国大会. (掲載予定). (2002)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書

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公開日: 2001-04-01   更新日: 2016-04-21  

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