| 研究課題/領域番号 |
13650356
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 神奈川大学 |
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研究代表者 |
平手 孝士 神奈川大学, 工学部, 教授 (60078300)
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| 研究分担者 |
佐藤 知正 神奈川大学, 工学部, 助手 (90343631)
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2002
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| 研究課題ステータス |
完了 (2002年度)
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| 配分額 *注記 |
2,900千円 (直接経費: 2,900千円)
2002年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
2001年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
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| キーワード | 硫化亜鉛 / シリコン / ヘテロ接合 / 電界発光 / 薄膜 / 酸化亜鉛 |
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| 研究概要 |
実施した研究項目毎にそれぞれの概要を述べる。
1.ITO/ZnS:Mn/n-Siヘテロ接合素子の発光点に関する研究
発光状態は微小な発光点の集合したものであることが観測され、以下が判明した。発光点の大きさは光学顕微鏡では測定できない程微小なものであること。フォーミング処理直後の発光点の集合状態が、印加電圧や電流値を増加させてもそのまま維持されていること。この理由として、いったん発光点が生成してしまうとその部分が周囲よりも低インピーダンス状態になり、全電流値が増加してもその増加分は既存の発光点に集中してしまい、新たな発光点の生成にはつながらないと考えられること。
2.ITO/ZnS:Mn/Y_2O_3/n-Siヘテロ接合素子の発光特性の研究
ZnS:Mn層とn-Si基板の間にY_2O_3層を挿入した構造の素子の発光特性は輝度値は小さいが微小な発光点の数の密度が高く、見かけの発光の一様性が向上していることを見出した
3.下地Si表面のレーザ光照射処理効果の研究
素子特性にかなりの変化が見られるが、現段階では表面にクラックが発生する等の問題点が同時に発生する等の問題点があることが判明した。
4.ITO/ZnS:Mn/ZnO/p-Si素子の研究
ZnS:Mnとp-Siの間にZnO層を挿入した場合、ZnO層の膜厚を適当値にすると逆方向電流密度を2桁程度増加させることができることを見出したが発光させるには至らなかった。
5.ITO/ZnS:Mn/w-ZnO/p-Si素子の研究
ZnS:Mnとp-Siの間に配列した状態のZnOウイスカ層を挿入した場合、非常に良好な発光特性が得られた。本プロジェクトの中で最も良い結果が得られた。
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