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窒化アルミインジウムガリウム砒素の五元混晶成長と光電子集積回路実現への基礎検討

研究課題

研究課題/領域番号 13650358
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関大阪工業大学

研究代表者

淀 徳男  大阪工業大学, 工学部, 助教授 (70288752)

研究期間 (年度) 2001 – 2002
研究課題ステータス 完了 (2002年度)
配分額 *注記
4,300千円 (直接経費: 4,300千円)
2002年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
2001年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
キーワードInN / Si基盤 / ECRプラズマ / 窒化物混晶 / 六方晶 / 結晶性 / プラズマ発光 / アニール / Si基板 / PL発光 / 立方晶
研究概要

本年度は良質なAlGaInAsN/Siの窒化物五元混晶を作製する為の前準備段階として、InN/Si、InNAs/Si、InGaNAs/Si等のSi基板上にInを含有した二元、三元、四元系の窒化物混晶成長において薄膜の結晶性向上のための基礎的検討を開始し、Inを含む窒化物系半導体の混晶結晶成長では基本的に高温成長できない為に、Inの含有量を増加するにつれ薄膜自体の結晶性が大幅に悪化してしまうという致命的な問題点が明らかになった。また、InNの二元混晶系でさえ8.5K以下の極低温下においてもPL発光が全く観測されておらず、窒化物五元混晶系の探索研究以前にこれらの問題点をまず解決することが先決であると判断した。まず、Si基板上にInNの結晶成長条件の最適化を検討し、250℃の低温でバッファ層を10nm作製した後、500℃で成長することと、成長中のECRプラズマ種からの357nmにピークを持うプラズマ発光線の強度を従来より2倍強くし、かつ391nmにピークを持つ窒素分子イオンからのプラズマ発光線の強度を非常に弱くしたプラズマ条件下で成膜を行うことによって六方晶系InN薄膜の結晶性を大幅に向上させることに成功した。また、成長直前にSi基板の窒化処理を行った場合には六方晶InNが主体的に成長し、薄膜自体の結晶性も大幅に向上するのに対し、窒化処理を行わない場合には結晶性が悪化し、アモルファス化することも明らかとなった。さらにこれらの結晶系の結晶性を改善するための手段として高温赤外線炉によるアニール実験を行った結果、アニール温度の増加によって結晶性が著しく向上することがわかったが、550℃以上の温度での高温アニールでは膜の表面モフォロジーが大幅に悪化することがわかった。これは、InN薄膜表面からのN原子の再蒸発に起因した現象であると考えられる。

報告書

(3件)
  • 2002 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2001 実績報告書
  • 研究成果

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  • [文献書誌] T.Yodo, T.Hirano, Y.Harada: "Characterization of polycrystalline GaN layers grown on alkali-metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma"International Conference on Polycrystalline Semiconductors 2002, Extended Abstracts. PM01. 80-80 (2002)

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  • [文献書誌] T.Yodo, H.Yona, K.Iwai, N.Toyotomi, Y.Harada: "Growth and characterization of InN heteroepitaxial layers grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy assisted by electron resonance plasma"21th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, Extended Abstracts. B3. 9-12 (2002)

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  • [文献書誌] T.Yodo, T.Hirano, Y.Harada: "Characterization of GaN layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assited by electron cyclotron resonance plasma"21th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, Extended Abstracts. B4. 13-16 (2002)

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  • [文献書誌] T.Yodo, M.Yamada, M.Araki, N.Enosaki, S.Umasaki, Y.Harada, A.Sasaki, M.Yoshimoto: "Influences of substrate anneal before growth on initial growth process and characteristics for GaN heteroepitaxial layers grown on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plaasma-assisted molecular-beam epitaxy"21th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, Extended Abstracts. B14. 37-40 (2002)

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  • [文献書誌] T.Yodo, H.Ando, P.Nosei, Y.Harada, M.Tamura: "Investigation of initial growth process for GaN heteroopitaxial layers grown on Si(001) and Si(111) substrates by ECR-assisted MBE"J.Cryst.Growth. 237-239. 1104-1109 (2002)

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  • [文献書誌] Tokuo Yodo, Hiroaki Yona, Hironori Ando, Daiki Nosei, Yoshiyuki Harada: "Strong bandedge luminescence from InN films grown on Si substrates by electron cyclotron resonance-assisted molecular beam epitaxy"Appl.Phys.Lett.. 80. 968-970 (2002)

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  • [文献書誌] TOKUO YODO: "Characteristics of III-Nitride Films Grown by Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted MBE and its Stoichiometric Control under plasma growth process (invited)"4^<th> Symposium On Non-Stoichiometric III-V Compounds, Asilomar Conference Grounds Pacific Grove, CA, Abstract Book. 28-28 (2002)

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  • [文献書誌] TOKUO YODO: "Characteristics of III-Nitride Films Grown by Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted MBE and its Stoichiometric Control under plasma growth process (invited)"4^<th> Symposium On Non-Stoichiometric III-V Compounds, Asilomar Conference Grounds Pacific Grove, CA, Estended Abstract. 125-130 (2002)

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  • [文献書誌] Masao Tamura, Maximo Lopez-Lopez, Tokuo Yodo: "GaN growth on Si(111) with very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE"Superficies y Vacio. 13. 80-88 (2001)

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  • [文献書誌] T.Yodo: "ECR-ASSISTED MBE GROWTH OF GaN AND InN ON Si AND THEIR PROPERTIES"NITRIDE MATERIALS, FRONTIER SCIENCE RESEARCH CONFERENCES, BULLETIN of the STEFAN UNIVERSITY, La Jolla, California, FSRC BOOK OF ABSTRACTS. 13. 83-88 (2001)

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  • [文献書誌] TOKUO YODO: "CHARACTERISTICS OF III-NITRIDE FILMS GROWN BY ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY AND ITS STOICHIOMETRIC CONTROL UNDER PLASMA GROWTH PROCESS (Invited)"4^<th> Symposium on Non-Stoichiometric III-V Compounds, Asilomar Conference Grounds Pacific Grove, CA, 2^<nd>-4^<th> October 2002, Extended Abstract. 125-130 (2002)

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  • [文献書誌] TOKUO YODO: "Characteristics of III-Nitride Films Grown by Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted MBE and its Stoichiometric Control under plasma growth process (invited)"4^<th> Symposium on Non-Stoichiometric III-V Compounds, Asilomar Conference Grounds Pacific Grove, CA, 2^<nd>-4^<th> October 2002, Abstract Book. 28 (2002)

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  • [文献書誌] T. Yodo, T. Hirano and Y. Harada: "Characterization of polycrystalline GaN layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma"International conference on Polycrystalline Semiconductors 2002, Extended Abstract. PMO1. 80 (2002)

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  • [文献書誌] T. Yodo, H. Yona, K. Iwai, N. Toyotomi and Y. Harada: "Growth and characterization of InN heteroepitaxial layers grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma"21th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, Extended Abstracts. B3. 9-12 (2002)

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  • [文献書誌] T. Yodo, T. Hirano and Y. Harada: "Characterization of GaN layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma"21th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, Extended Abstracts. B4. 13-16 (2002)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Yodo, M. Yamada, M. Araki, N. Enosaki, S. Umasaki, Y. Harada, A. Sasaki, and M. Yoshimoto: "Influences of substrate anneal before growth on initial growth process and characteristics for GaN heteroepitaxial layers grown on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy"21th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, Extended Abstracts. B14. 37-40 (2002)

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  • [文献書誌] T. Yodo, H. Ando, D. Nosei, Y. Harada, M. Tamura: "Investigation of initial growth process for GaN heteroepitaxial layers grown on Si(001) and Si(111) substrates by ECR-assisted MBE"J. Cryst. Growth. Vol. 237-239. 1104-1109 (2002)

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  • [文献書誌] Tokuo Yodo, Hiroaki Yona, Hironori Ando, Daiki Nosei, Yoshiyuki Harada: "Strong bandedge Luminescence from InN films grown on Si substrates by electron cyclotron resonance-assisted molecular beam Epitaxy"Appl. Phys. Lett.. Vol. 80, No. 6. 968-970 (2002)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Masao Tamura, Maximo Lopez-Lopez, Tokuo Yodo: "GaN growth on Si(111) with very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE"Superficies y Vacio. Vol. 13. 80-88 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Yodo: "ECR-ASSISTED MBE GROWTH OF GaN AND InN ON Si AND THEIR PROPERTIES"NITRIDE MATERIALS, FRONTIER SCIENCE RESEARCH CONFERENCES, BULLETIN of the STEFAN UNIVERSITY, La Jolla, California, FSRC BOOK OF ABSTRACTS. Vol. 13, No. 4. 83-88 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Yodo, T.Hirano, Y.Harada: "Characterization of polycrystalline GaN layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma"International Conference on Polycrystalline Semiconductors 2002, Extended Abstract. PMO1. 80-80 (2002)

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      2002 実績報告書
  • [文献書誌] T.Yodo, H.Yona, K.Iwai, N.Toyotomi, Y.Harada: "Growth and characterization of InN heteroepitaxial layers grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma"21th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, Extended Abstracts. B3. 9-12 (2002)

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      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Yodo, T.Hirano, Y.Harada: "Characterization of GaN Layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma"21th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, Extended Abstracts. B4. 13-16 (2002)

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  • [文献書誌] T.Yodo, M.Yamada, M.Araki, N.Enosaki, S.Umasaki, Y.Harada, A.Sasaki, M.Yoshimoto: "Influences of substrate anneal before growth on initial growth process and characteristics for GaN heteroepitaxial layers grown on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy"21th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, Extended Abstracts. B14. 37-40 (2002)

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      2002 実績報告書
  • [文献書誌] T.Yodo, H.Ando, D.Nosei, Y.Harada, M.Tamura: "Investigation of initial growth process for GaN heteroepitaxial layers grown on Si(001) and Si(111) substrates by ECR-assisted MBE"J.Cryst.Growth. 237-239. 1104-1109 (2002)

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      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Tokuo Yode, Hiroaki Yona, Hironori Ando, Daiki Nosei, Yoshiyuki Harada: "Strong bandedge luminescence from InN films grown on Si substrates by electron cyclotron resonance-assisted molecular beam epitaxy"Appl.Phys.Lett.. 80・6. 968-970 (2002)

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  • [文献書誌] Masao Tamura, Maximo Lopez-Lopez, Tokuo Yodo: "GaN growth on Si(111) with very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE"Superficies y Vacio. 13. 80-88 (2001)

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      2002 実績報告書
  • [文献書誌] T.Yodo: "ECR-ASSISTED MBE GROWTH OF GaN AND InN ON Si AND THEIR PROPETIES"NITRIDE MATERIALS, FRONTIER SCIENCE RESEARCH CONFERENCES, BUL LETIN of the STEFAN UNIVERSITY, La Jolla, California, FSRC BOOK OF ABSTRACTS. 13・4. 83-88 (2001)

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  • [文献書誌] TOKUO YODO: "Characteristics of III-Nitride films Grown by Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted MBE and its Stoichiometric Control under plasma growth process (invited)"4^<th> Symposium On Non-Stoichiometric III-V Compounds, Asilomar Conference Grounds Pacific Grove, CA, Extended Abstract Book. 28-28 (2002)

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  • [文献書誌] TOKUO YODO: "Characteristics of III-Nitride films Grown by Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted MBE and its Stoichiometric Control under plasma growth process (invited)"4^<th> Symposium On Non-Stoichiometric III-V Compounds, Asilomar Conference Grounds Pacific Grove, CA, Extended Abstract Book. 125-130 (2002)

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      2002 実績報告書
  • [文献書誌] T.Yodo, H.Ando, Y.Harada, M.Yoshimoto: "Characterization of As-doped GaN heteroepitaxial layers gitwn on Si(001) and Si(111) substrates by molecular beam epitaxy assisted by election cyclotion resonance"Exteiided Abstracts ofthe 20th Electric Materials Symposium. 20・6. 199-202 (2001)

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      2001 実績報告書
  • [文献書誌] T.Yodo, H.Ando, D.Nosei, Y.Harada, M.Tamura: "Investigation of initial Growth Process for GaN Heteroepitaxial Layers Grown Si(001) and Si(111) Substrates by ECR-assisted MBE"The Thirteeth International Conference on Crystal Growth, ICCG-13/ICVGE-11 Abstracts. 02a-SB2-16. 309-309 (2001)

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      2001 実績報告書
  • [文献書誌] I.YODO, HANDO, D.NOSEI, Y.HARADA: "Growth and Characterization of InN Heteroepitaxial Layers Grown on Si Substiates by ECR-Assisted MBE"The Fourih Intemation Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Proceedings of the Fourth International Conference on Nitride Semiconductors. P22.13. 83-84 (2001)

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      2001 実績報告書
  • [文献書誌] T.Yodo, H.Ando, H.Tsuchiya, D.Nosei, M.Shimeno, Y.Harada: "Influence of substate nitridation before growth on initial growth process of GaN heteroepitaxial layers grown on Si(001) and Si(111) substrates by ECR-MBE"J. Ctyst Giowth. Vol.227-228. 431-436 (2001)

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      2001 実績報告書
  • [文献書誌] Tokuo Yodo, Hironori Ando, Daiki Nosei, Jyunya Seko, Kentarou Sakai, Masakazu Shimeno, Yoshiyuki Harada: "Mutual lnfluence among InertNitrogen Molecules, Nitrogen Radical Aionis, Nitrogen Radical Molecules and Nitrogen Molecular Ions on Growth Process and Crystal Sinicture of GaN Hetemepitaxial Layers Grown on Si(001) and Si(111) Substrattes by Molecular-Beam Ephaxy Assisted by Electxon Cyclotron Reasonance"J. Ctyst Giowth. Vol.233. 22-33 (2001)

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      2001 実績報告書
  • [文献書誌] T.Yodo, H.Ando, D.Nosei, Y.Harada: "Growth and Characterization of InN Heteroepitaxia Layers Grown on Si Substrates by ECR-Assisted MBE"phys. state. sol.. (b)228・1. 21-26 (2001)

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公開日: 2001-04-01   更新日: 2016-04-21  

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