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半導体Cu配線形成に用いるめっき添加剤のメカニズム

研究課題

研究課題/領域番号 13650781
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 材料加工・処理
研究機関岡山大学

研究代表者

近藤 和夫  岡山大学, 工学部, 助教授 (50250478)

研究期間 (年度) 2001 – 2002
研究課題ステータス 完了 (2002年度)
配分額 *注記
3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
2002年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
2001年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
キーワードCu配線 / Cuめっき / 添加剤 / 抑制作用 / 促進作用 / メカニズム
研究概要

穴埋めめっきの促進効果と抑制メカニズムについて検討した
1.促進効果
(1)ビア底のみに電極を有するパターン電極を用い検討した。Cl^-+PEG+JGBに対してCl^-+PEG+JGB+SPSでは電流密度が増加する。アスペクト比を増加させるとビア底電極の電流密度が増大する。
(2)また狭い開口寸法のパターン電極ほど電流密度が増大した。そのパターン電極上に析出しためっき断面の観察を行った。促進効果を示す狭い開口寸法でも断面形状は曲率を示さない。この結果はT.Moffatらのモデルに矛盾する。
(3)そのため、フリーな促進錯体がパターン電極底部に滞留することにより促進効果を示していると考えている。
2.抑制効果
(1)抑制効果を示すPEG分子について検討した。粒状結晶分析部分はEFAUGERの0元素のピーク強度が他の部分と比較して強い。PEG分子はOを含有する高分子であり、二次電子像での粒状結晶はPEG分子である。
(2)あらかじめCuめっきしたQCM基板をPEGとCl^-を添加したCuめっき溶液に浸漬すると、時間の経過に伴い周波数偏差が増加した。200秒浸漬後では、Cuめっき表面には直径数10mmの微細なPEG分子を観察した。1000秒浸漬後では、より多数の直径数10mmの微細なPEG分子を観察した。
(3)PEGとCl^-を添加したCuめっき溶液では電流値は時間に関わらず低電流密度の43mA/cm^2で一定値となった。SPSを1PPm添加すると、電流密度が著しく増加した。SPSは電流密度を増加させる促進効果がある。SPS添加前のCuめっき表面には直径数10mmのPEG分子が多数存在した。一方、SPSを添加した後の3000秒と5400秒では、PEG分子が観察されなかった。さらにCuめっき結晶は100mmと微細化した。添加剤SPSは吸着したPEG分子を排除する効果と、Cuめっきを微細化する効果がある。
*半導体を積層実装する技術に三次元実装技術がある。三次元実装にはシリコン基板に貫通電極を形成しその貫通電極に高アスペクトの穴埋めめっきをする。本科研テーマの応用として、本高アスペクト穴埋めめっきに着手し、2.5時間の高速で穴埋めめっきを達成した。

報告書

(3件)
  • 2002 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2001 実績報告書
  • 研究成果

    (52件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (52件)

  • [文献書誌] 近藤和夫, 山川統広, 田中善之助, 間野和美: "ビア充てんめっきの形状支配因子"エレクトロニクス実装学会誌(2001). VOl.4、No.1. 37-40 (2001)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Hayashi, K.Fukui, Z.Tanaka, K.Kondo: "Shape Evolution of Electrodeposited Bumps into Deep Cavities"Journal of Electrochemical Society. C145. 148-152 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Kondo, N.Yamakawa: "Role of Damascene via filling additives-II. Via bottom acceleration"ISTC 2001(Shiyan-haip)(2001). Vol.1. 532-537 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kazuo Kondo, Norio Yamakawa: "Role of Damascene Via Filling Additives-Via Bottom Acceleration"Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equiptments, Cheju Island, Korea. June 20-June 23. 241-243 (2001)

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  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Fundamental Aspects of Electrodepositon -Zinc, Bumping and Via Filling"MPND2001,Kyoto. Sept.16-19. 107-110 (2001)

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  • [文献書誌] 岡村拓治, 田中善之助, 近藤和夫: "穴埋めっきにおける開口寸法の影響"第11回マイクロエレクトロニクスシンポジウム、阪大. 10月. 95-100 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Fundamental Aspects in Bumping and Via Filling Electrodeposition"2001 Int'l Symposium on Electronic Materials and Packaging, Jeju Island. Nov.. 69-72 (2001)

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  • [文献書誌] 近藤和夫: "実装プロセス工学の最新研究分野"ケミカルエンジニアリング. Vol.46,No12. 64-67 (2001)

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  • [文献書誌] Kazuo Kondo, Takuji Okamura, Jian Jun Sun, Manabu Tomisaka, Hitoshi Yonemura, Masataka Hoshino, Kenji Takahashi: "High Aspect Ratio Copper Via Fill used for Three Dimensional Chip Stacking"2002 ICEP(Tokyo). 327-335 (2002)

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  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Electrodeposition Technologies for Semiconductor and Semiconductor Packaging"ISMP 2002(Seoul). 98-103 (2002)

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  • [文献書誌] Kazuo Kondo, Katsuhiko Hayashi, Zennosuke Tanaka, Norihiro Yamakawa: "Role of damascene via filling additives-morphology evolution"ECS Proc.. vol.2000-8. 76-81 (2002)

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  • [文献書誌] 近藤和夫, 田中善之助, 山川統広: "ピア穴埋めに用いるCuめっき添加剤のメカニズム 第2報-溝底の促進効果"エレクトロニクス実装学会誌. Vol5. 672-680 (2002)

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  • [文献書誌] Seungjin Oh, Kazuo Kondo: "High Aspect Ratio Copper Via Filling Used for Three Dimensional Packaging"The 3^<rd> Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equiptments, Hakone, Japan. 194-200 (2002)

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  • [文献書誌] 近藤和夫, 田中善之助, 岡村拓治: "穴埋めめっきに用いるCuめっき添加剤のメカニズム 第3報-開口寸法の影響"エレクトロニクス実装学会誌6. No2. 136-139 (2003)

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  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Electrodeposition Technologies for Semiconductor and Semiconductor Packaging"Proc.,ISTC 2002(Tokyo). (in print).

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Seung, Jin Oh, T.Yonezawa, K.Kondo, M.Tomisaka, H.Yonemura, M.Hoshino, Y.Taguchi, K.Tanahashi: "Copper Electroplating Applied to Fill High-Aspect-Ratio Vias for the Application of Three Dimensional Chip Stacking"2003 ICEP(Tokyo). April 16-18(in print).

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Kondo, N.Yamakawa, Z.Tanaka, K.Hayashi: "Copper Damascene Electrodeposition and Additives"Journal of Analytical Electrochemistry. (in print).

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] J-J Sun, Kazuo Kondo, T.Okamura, S-J Oh, M.Tomisaka, H.Yonemura, M.Hoshino, K.Takahashi: "High Aspect Ratio Copper Via Filling Used for Three Dimensional Chip Stacking"ECS. (in print).

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 近藤和夫, 岡村拓治, 呉承真, 米澤稔浩, 富坂学, 米村均, 星野正孝, 田口由一, 高橋健二: "三次元実装に用いる高アスペクト比貫通電極の銅穴埋めっき"エレクトロニクス実装学会. (in print).

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Kondo, D.P.Barkey, J.C.Bradley, F.Argoul: "Proceedings Volume of 199^<th> ECS Meeting Electrochemical Society, (2001)"MORPHOLOGICAL EVOLUTION OF ELECTRODEPOSITS (in print).

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kazuo Kondo, Lili Deligianni: "Future Targets of Electrodeposition Technologies"Electronics Division, Ch.E.Japan(2002). 12 (2002)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Kondo, N.Yamakawa, Z.Tanaka, K.Mano: "Shape evolution factors for via filling electrodeposition"JIEP. Vol.4, No.1. 37-40 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Hayashi, K.Fukui, Z.Tanaka and K.Kondo: "Shape Evolution of Electrodeposited Bumps into Deep Cavities"Journal of Electrochemical Society. C145. 148-152 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Kondo and N.Yamakawa: "Role of Damascene via filling additives-II. Via bottom acceleration"ISTC 2001(Shiyan - haip). Vol.1. 532-537 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kazuo Kondo and Norio Yamakawa: "Role of Damascen Via Filling Additives - Via Bottom Acceleration"Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments. Cheju Island, Korea, June 20 - 23. 241-243 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Fundamental Aspects of Electrodeposition - Zinc, Bumping and Via Filling"MPND2001(Kyoto). Sept.16-19. 107-110 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Okamura, Z.Tanaka, K.Kondo: "Effects of opening size for via filling electrodeposition"The 11^<th> Microelectronics Symposium (Osaka Univ.). Oct.. 95-100 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Fundamental Aspects in Bumping and Via Filling Electrodeposition"2001 Int'l Symposium on Electronic Materials and Packaging. Jeju Island, Nov.. 69-72 (2001)

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  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Recent research field in electrodeposition packaging"Chemical Engineering. Vol46, No12. 64-67 (2001)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kazuo Kondo, Takuji Okamura, Jian Jun Sun, Manabu Tomisaka, Hitoshi Yonemura, Masataka Hoshino and Kenji Takahashi: "High Aspect Ratio Copper Via Fill used for Three Dimensional Chip Stacking"2002ICEP (Tokyo). 327-335 (2002)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Electrodeposition Technologies for Semiconductor and Semiconductor Packaging"ISMP2002 (Seoul). 98-103 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kazuo Kondo, Katsuhiko Hayashi, Zennosuke Tanaka and Norihiro famakawa: "Role of damascene via filling additives- morphology evolution"ECS Proc.. Vol.2000-8. 76-81 (2002)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Kondo, Z.Tanaka, N.Yamakawa: "Copper etectrodeposition mechanism for via filling - 2. Acceleration effect at via bottom"JIEP. Vol.5. 672-68 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Seungjin Oh and Kazuo Kondo: "High Aspect Ratio Copper Via Filing Used for Three Dimensional Packaging"The 3^<rd> Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments. Hakone, Japan. 194-200 (2002)

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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Kondo, Z.Tanaka, T.Okamura: "Copper electrodeposition mechanism for via filling - 3. Effects of opening size"JIEP. vol.6, No2. 136-139 (2003)

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    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Electrodeposition Technologies for Semiconductor and Semiconductor Packaging"Proc., ISTC2002 (Tokyo). [In Print].

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Seung.Jin Oh, T.Yonezawa, K.Kondo, M.Tomisaka, H.Yonemura, M.Hoshino, Y.Taguchi and K.Tanahashi: "Copper Electroplating Applied to Fill High-Aspect-Ratio Vias for the Application of Three Dimensional Chip Stacking"2003ICEP(Tokyo). April 16-18 [In Print].

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Kondo, N.Yamakawa, Z.Tanaka and K.Hayashi: "Copper Damascene Electrodeposition and Additives"Journal of Analytical Electrochemistry. [In Print].

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] J-J Sun, Kazuo Kondo, T.Okamura, S-J Oh, M.Tomisaka, H.Yonemura, M.Hoshino and K.Takahashi: "High Aspect Ratio Copper Via Filling Used for Three Dimensional Chip Stacking"ECS. [In Print].

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Kondo, T.Okamura, S-J Oh, T.Yonezawa, M.Tomisaka, H.Yonemura, M.Hoshino, Y.Taguchi, K.Takahashi: "Via filling electrodeposition used for the high aspect ratio through electrode of three dimensional packaging"JIEP. [In Print].

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2002 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Kazuo Kondo, Takuji Okamura, Jian Jun Sun, Manabu Tomisaka, Hitoshi Yonemura, Masataka Hoshino, Kenji Takahash: "High Aspect Ratio Copper Via Fill used for Three Dimensional Chip Stacking"2002ICEP, Tokyo. April, 17-19. 327 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Electrodeposition Technologies for Semiconductor and Semiconductor Packaging"ISMP2002, Seoul. September10. (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Electrodeposition Technologies for Semiconductor and Semiconductor Packaging"Proc., ISTC2002, Tokyo. September12-14. (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Kazuo Kondo, Katsuhiko Hayashi, Zennosuke Tanaka, Norihiro Yamakawa: "Role of damascene via filling additives-morphology evolution"ECS Proc. Vol.2000-8. 76 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] 近藤和夫, 田中善之助, 山川統広: "ビア穴埋めに用いるCuめっき添加剤のメカニズム 第二報・溝底の促進効果"エレクトロニクス実装学会誌. Vol15. 672 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Seungjin Oh, Kazuo Kondo: "High Aspect Ratio Copper Via Filling Used for Three Dimensional Packaging"The 3rd Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semi conductor Processes and Equitments. Oct.9-10. 194 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] Jian-Jun Sun, Kazuo Kondo, Takuji Okamura, SeungJin Oh Manabu Tomisaka, Hitoshi Yonemura, Masataka Hoshino, Kenji Takahashi: "High Aspect Ratio Copper Via Filling Used for Three Dimensional Chip Stacking"Journal of the Electrochemical Society, Accepted.

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] KazuoKondo, Lili Deligianni, Electronics Division: "Future Targets of Electrodeposition Technologies"Ch.E.Japan. 10 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] K.Kondo, N.Yamakawa: "Role of Damascene via filling additives-II.Via bottom acceleration"ISTC 2001. 1. 532-540 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] Kazuo Kondo: "Fundamental Aspects of Electrodepositon-Zind, Bumping and Via Filling"MPND2001. 16-19 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] 岡村拓治, 田中善之助, 近藤和夫: "穴埋めっきにおける開口寸法の影響"第11回マイクロエレクトロニクスシンポジウム. 95-100 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] 近藤和夫: "実装プロセス工学の最新研究分野"ケミカルエンジニアリング. 146. 64-70 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書

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公開日: 2001-04-01   更新日: 2016-04-21  

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