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多層サブミクロン薄膜のせん断負荷による界面端はく離発生機構の解明

研究課題

研究課題/領域番号 13750073
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 機械材料・材料力学
研究機関横浜国立大学

研究代表者

澁谷 忠弘  横浜国立大学, 大学院・工学研究院, 助手 (10332644)

研究期間 (年度) 2001 – 2002
研究課題ステータス 完了 (2002年度)
配分額 *注記
2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
2002年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
2001年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
キーワードLSI配線 / サブミクロン薄膜 / 界面強度 / 開口モードはく離 / せん断モードはく離 / 界面端はく離じん性 / マイクロテスティング / 破壊力学 / ナノ薄膜 / 界面はく離 / せん断はく離強度 / 界面はく離じん性 / LSI
研究概要

本年度は,前年度開発した多層サブミクロン薄膜のせん断負荷評価試験装置を用いて,実際のLSIに用いられる薄膜を対象として,界面強度評価を行った.まず,薄膜のせん断はく離強度について力学的に検討した.汎用有限要素コードANSYSを用いて応力解析を行い,界面端部近傍の応力特異場について検討した.開口モード並びにせん断モードのそれぞれについて,破壊は端部の特異応力場に支配されていることを解明することができた.また,実験結果ならびに応力解析結果より,はく離発生条件をじん性値として破壊力学的に評価した.これによって,外部の負荷条件や試験片形状に依存しない力学的なパラメータによる定量評価が可能となる.今回対象とした窒化珪素膜と銅の界面においては,開口モードに比べてせん断モードの強度が非常に小さいことがわかった.これは、各モードについて界面強度を定量的に評価する必要性があることを示唆している.
一方,実際のはく離は膜のコーナー部で発生する.そこで,コーナー部からのはく離を実現するはく離試験方法についても開発した.結果として,はく離はコーナー部から発生し,応力解析の結果からはこれまでの2次元解析により得られた強度とは若干の差異が見られた.より詳細に端部近傍の応力状態を検討した結果,コーナー部からのはく離においては開口モード成分とせん断モード成分の相互作用によってはく離が発生していることが判明した.これらの定量的な評価については今後の課題であると考えられる.

報告書

(2件)
  • 2002 実績報告書
  • 2001 実績報告書
  • 研究成果

    (11件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (11件)

  • [文献書誌] 澁谷忠弘, 于強, 白鳥正樹他: "Interface Strength Between Sub-Micron Thin Films in Opening and Sliding Delamination Modes"ASME International Mechanical Engineering Congress & Expotision. (CD-ROM). No.39631 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] 澁谷忠弘, 于強, 白鳥正樹他: "多層サブミクロン薄膜の界面破壊機構に関する研究"日本機械学会M&Mレイクサイドサマーシンポジウム. 54-56 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] 澁谷忠弘, 于強, 白鳥正樹他: "せん断負荷による多層サブミクロン薄膜の界面端はく離発生条件"日本機械学会講演論文集. 02-1. 261-262 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] 澁谷忠弘, 于強, 白鳥正樹他: "サブミクロン薄膜界面はく離における3次元構造の及ぼす影響"日本機械学会講演論文集. 30-1. 475-476 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] 澁谷忠弘, 于強, 白鳥正樹: "表面原子マイグレーションによる微小空洞形成機構の解明"日本機械学会講演論文集. 2-5. 251-252 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] 澁谷忠弘他: "Damage Process of Polycrystalline LSI Conductor Due to Atom Migration Induced by Electric Current and Stress"International Journal of Damage Mechanics. 11・2. 113-128 (2002)

    • 関連する報告書
      2002 実績報告書
  • [文献書誌] T.Kitamura, T.Shibutani, T.Ueno: "Crack inititation at free edge of interface between thin films in advanced LSI"Engineering Fracture Mechanics. (EFM1574)(掲載予定). (2002)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] T.Shibutani et al.: "Evaluation of Interface Strength between Thin Films in an LSI Based on Fracture Mechanics Concept"Stress-induced Phenomena in Metallizations. (掲載予定). (2002)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] T.Shibutani et al.: "Growth of Grain Boundary Cavity under Nabarro-Herring Creep"CREEP7. 1・20. 461-465 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] T.Shibutani et al.: "Stress-Induced Atom Transport Alog Grain-Boundary/Interface Network in A Polycrystalline LSI Conductor"InterPACK'01. 1-5 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書
  • [文献書誌] 澁谷忠弘 他: "原子マイグレーションによるキャビティ成長におけるLSI配線角部の影響"第14回計算力学講演会講演論文集. 1・10. 485-486 (2001)

    • 関連する報告書
      2001 実績報告書

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公開日: 2001-04-01   更新日: 2016-04-21  

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