超薄高誘電率ゲート絶縁膜におけるシリコンとの界面制御の研究

• 研究課題/領域番号: 13852009
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 鳥海 明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (50323530)
• 研究分担者: 弓野 健太郎 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師 (40251467) ; 喜多 浩之 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (00343145)
• 研究期間 (年度): 2001 – 2005
• 研究課題ステータス: 完了 (2005年度)
• 配分額: 119,210千円 (直接経費: 91,700千円、間接経費: 27,510千円); 2005年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円); 2004年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円); 2003年度: 20,930千円 (直接経費: 16,100千円、間接経費: 4,830千円); 2002年度: 30,160千円 (直接経費: 23,200千円、間接経費: 6,960千円); 2001年度: 53,040千円 (直接経費: 40,800千円、間接経費: 12,240千円)
• キーワード: 高誘電率絶縁膜 / 酸化ハフニウム / 酸化イットリウム / 酸化ランタン / シリコン / ゲルマニウム / 分極率 / アモルファス / HfO_2 / La_2O_3 / Y_2O_3 / High-k膜 / Y-doped HfO_2 / 遠赤外特性 / LaYO_3薄膜 / Y_2O_3 on Ge / 界面層 / HfO2 / Y2O3 / シリケート / 光学フォノン / 高誘電率膜 / 基板面方位 / 界面制御 / 酸化レート / 原子状酸素 / 斜入射X線反射率測定 / 分光エリプソメトリー / Open Circuit Potential法 / スパックリング / オープンサーキットポテンシャル / オフアクシススパッタリング / ゲート絶縁膜 / MISキャパシタ

研究概要

本研究の目的は、超膜高誘電率膜が次世代LSI用CMOSゲート酸化膜に適用可能であるかを材料学的に判断することであった。以下にその成果をまとめる。
1.High-k材料の高誘電率性の起源の理解と材料設計指針の確立
(1)遠赤外吸収測定により、高誘電率膜それぞれに特徴的なフォノンモードを実験的に提示した。
(2)HfO_2にYやSiをドープして高温相へと相変態させ、30に近い比誘電率を実験的に初めて示した。
(3)HfO_2にLaをドープすると、誘電率だけでなく結晶化温度が上昇し、900℃以上においてもアモルファスを維持する高誘電率膜が得られることを見出した。
(4)マクロ量である誘電率は、ミクロに定義される分子分極率と分子体積により決定されるという基本法則に基づき、得られた誘電率の違いを解析し、高誘電率化のための新しい材料設計指針を構築した。
2.シリコン/High-k界面層の成長機構の理解と制御
(1)HfO_2/Si界面酸化における基板面方位、時間、温度等の影響を系統的に調べ、Si表面とは反応機構が異なることを定量的に明らかにした。
(2)HfO_2/Si界面の酸化種として原子状酸素を考慮することによって、定量的界面酸化モデルを構築し、界面酸化制御のための指針を示した。
以上を基に、最終年度にゲートスタック形成を試みた結果、界面特性の最適化を要するものの、EOTで0.8nm以下、リーク電流でSiO_2に比べて約5桁低いMISキャパシターの結果が得られ、数値目標を含めてほぼ本研究の目的を達成できた。
さらに、次々世代デバイス材料として期待されるGeを用いたGe/High-k界面の制御へと対象を発展させた。Siの場合とは異なり、High-k材料物性が界面特性に強く影響し、High-k材料制御が一層重要になることを明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] Moisture-absorption-induced permittivity deterioration and surface roughness enhancement of lanthnum oxide films on silicon (2006)
  • 著者名/発表者名: Y.Zhao et al.
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 88(7) ページ: 72904-72904
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Dielectric Properties of Metal-Doped HfO^2 for Higher-k Gate Insulators (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: 2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2006 ページ: 27-28
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Origin of Permittivity Enhancement of HfSiO and HfON Films with High Temperature Annealing (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Tomida et al.
  • 雑誌名: International Conference on Microelectronics and Interfaces(ICMI '06) 2006
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Doped HfO^2 for Higher-k Dielectrics (2006)
  • 著者名/発表者名: A.Toriumi et al.
  • 雑誌名: ECS Transactions 1(出版予定)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] 分極率の制御による三次元系High-k膜の高誘電化へのアプローチ (2006)
  • 著者名/発表者名: 喜多浩之, 他
  • 雑誌名: ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第11回 ページ: 233-238
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Ge 系電子デバイスの展望 (2006)
  • 著者名/発表者名: 鳥海 明
  • 雑誌名: 日本金属学会セミナー・非シリコン半導体の現状と展望
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Moisture-absorption-induced permittivity deterioration and surface roughness enhancement of lanthanum oxide films on silicon (2006)
  • 著者名/発表者名: Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 88 ページ: 72904-72904
  • NAID: 10022542508
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Doped HfO_2 for Higher-k Dielectrics (2006)
  • 著者名/発表者名: A.Toriumi, Y.Yamamoto, Y.Zhao, K.Tomida, K.Kita
  • 雑誌名: ECS Transactions 1(to be published)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Origin of Permittivity Enhancement of HfSiO and HfON Film with High Temperature Annealing (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: International Conference on Microelectronics and Interfaces (ICMI'06)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Dielectric Properties of Metal-Doped HfO_2 for Higher-k Gate Insulators (invited paper) (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, K.Tomida, Y.Yamamoto, Y.Zhao, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: 2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) ページ: 27-28
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Design Methodology of Higher-k Ternary Dielectric Films with Polarizability Engineering (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, Y.Yamamoto, K.Tomida, Y.Zhao, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 11th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations- ページ: 233-238
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Prospects of Ge Devices (2006)
  • 著者名/発表者名: A.Toriumi
  • 雑誌名: Present Status and Prospects of Non-Silicon Devices, The Japan Institute of Metals Seminar
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Moisture-absorption-induced permittivity deterioration and surface roughness enhancement of lanthanum oxide films on silicon (2006)
  • 著者名/発表者名: Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 88(7) ページ: 72904-72904
  • NAID: 10022542508
• [雑誌論文] Doped HfO_2 for Higher-k Dielectrics (2006)
  • 著者名/発表者名: A.Toriumi, Y.Yamamoto, Y.Zhao, K.Tomida, K.Kita
  • 雑誌名: ECS Transactions 1(出版予定)
• [雑誌論文] Kinetic Model of Oxidation at HfO^2/Si Interface with Post Deposition Annealing (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Shimizu et al.
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1, 44 ページ: 6131-6135
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Permittivity Increase of YttiriumDoped HfO^2 through Structural Phase Transformation (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 86(7) ページ: 102906-102906
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Evolution of Leakage Path in HfO^2/SiO^2 Stacked Gate Dielectrics : A Stable Direct Observation by Ultrahigh Vacuum Conducting Atomic Force Microscopy, (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kyuno et al.
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 86(6) ページ: 63510-63510
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Far- and Mid-Infrared Absorption Study of HfO_2/SiO_2/Si System (2005)
  • 著者名/発表者名: A.Toriumi et al.
  • 雑誌名: 207th Meeting of the Electrochemical Society 207
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Design Methodology for La^2O^3-Based Ternary Hifher-k Dielectrics (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005 ページ: 858-859
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] A New Hf-based Dielectric Member, HfLaOx, for Amorphous Hifh-k Gate Insulators in Advanced CMOS (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Yamamoto et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005 ページ: 254-255
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Permittivity Enhancement of Hf^(^1^-^x^)Si^xO^2 film with High Temperature Annealing (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Tomida et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005 ページ: 232-233
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Thermally Robust Y^2O^3/Ge MOS Capactors (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Nomura et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005 ページ: 858-859
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Moisture Absorption-Induced Permittivity Deterioration and Surface Roughness Enhancement of Lanthanum Oxide Films on Silicon (2005)
  • 著者名/発表者名: Yi Zhao et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005 ページ: 546-547
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Ion-Implanted p/n Junction Characteristics p- and n-type Germanium (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Nishimura et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005 ページ: 520-521
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] High Crystallization Temperature and Low Fixed Charge Density of HfLaOx Films (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Yamamoto et al.
  • 雑誌名: 36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 36 ページ: 11-11
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] GIXR法によるhigh-k マルチレイヤーの解析 (2005)
  • 著者名/発表者名: 清水悠佳, 他
  • 雑誌名: ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第10回 ページ: 167-172
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] HfO^2を堆積したGe基板界面の面方位による違い (2005)
  • 著者名/発表者名: 遠山仁博, 他
  • 雑誌名: ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第10回 ページ: 209-214
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] CVD-SiO^2膜のアニール効果のOCP法による評価 (2005)
  • 著者名/発表者名: 喜多浩之, 他
  • 雑誌名: ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第10回 ページ: 265-270
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Hfo^2/SiO^2スタック構造におけるリーク電流の極性依存性 : UHV-C-AFMによる観察 (2005)
  • 著者名/発表者名: 弓野健太郎, 他
  • 雑誌名: ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第10回 ページ: 309-314
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Evolution of Leakage Paths in HfO_2/SiO_2 Stacked Gate Dielectrics : A Stable Direct Observation by Ultrahigh Vacuum Conducting Atomic Force Microscopy (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 86(6) ページ: 63510-63510
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Kinetic Model of Si Oxidation at HfO_2/Si Interface with Post Deposition Annealing (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys.Pt.1 44(8) ページ: 6131-6135
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Far- and Mid- Infrared Absorption Study of HfO_2/SiO_2/Si System (invited paper) (2005)
  • 著者名/発表者名: A.Toriumi, K.Tomida, H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno
  • 雑誌名: 207th Meeting of the Electrochemical Society
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Design Methodology for La_2O_3-Based Ternary Higher-k Dielectrics (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, Yi Zhao, Y.Yamamoto, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM) ページ: 252-253
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Thermally Robust Y_2O_3/Ge MOS Capacitors (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Nomura, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM) ページ: 858-859
  • NAID: 10022543442
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] A New Hf-based Dielectric Member, HfLaO_x, for Amorphous High-k Gate Insulators in Advanced CMOS (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM) ページ: 254-255
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Moisture Absorption-Induced Permittivity Deterioration and Surface Roughness Enhancement of Lanthanum Oxide Films on Silicon (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM) ページ: 546-547
  • NAID: 10022542508
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Ion-Implanted p/n Junction Characteristics p- and n-type Germanium (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Nishimura, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM) ページ: 520-521
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Permittivity Enhancement of Hf_<(1-x)>Si_xO_2 Film with High Temperature Annealing (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Tomida, K.Kita, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM) ページ: 232-233
  • NAID: 10022541528
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] High Crystallization Temperature and Low Fixed Charge Density of HfLaO_x Films (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: 36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) P-11
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Challenges and Prospect of High-k Gate Dielectrics Technology (2005)
  • 著者名/発表者名: A.Toriumi
  • 雑誌名: Journal of The Surface Science Society of Japan HYOMEN KAGAKU 26(5) ページ: 242-248
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] GIXR Analysis of High-k Multilayer Structure (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Shimizu, K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations- ページ: 167-172
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Effects of Germanium Surface Orientation on HfO_2/Ge Interface (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations- ページ: 209-214
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Annealing Effects on CVD-SiO_2 Films Characterized by OCP Measurement (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations- ページ: 265-270
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Polarity Dependence of Leakage Current in HfO_2/SiO_2 Stacked Structures : An Observation by UHV-C-AFM (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations- ページ: 309-314
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Challenges and Prospect of High-k Gate Dielectrics Technology (invited paper) (2005)
  • 著者名/発表者名: A.Toriumi
  • 雑誌名: 85th Spring Meeting of The Chemical Society of Japan 2L2-25
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Kinetic Model of Si Oxidation at HfO_2/Si Interface with Post Deposition Annealing (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics Pt.1,44 ページ: 6131-6135
• [雑誌論文] Evolution of leakage paths in HfO_2/SiO_2 stacked gate dielectrics : A stable direct observation by ultrahigh vacuum conducting atomic force microscopy (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 86(6) ページ: 63510-63510
• [雑誌論文] Design Methodology for La2O_3-Based Ternary Higher-k Dielectrics (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, Yi Zhao, Y.Yamamoto, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005 ページ: 858-859
• [雑誌論文] High Crystallization Temperature and Low Fixed Charge Density of HfLaOx Films (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: 36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 36 ページ: 10-10
• [雑誌論文] Permittivity increase of yttrium-doped HfO_2 through structural phase transformation (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 86 ページ: 102906-102906
• [雑誌論文] Growth Mechanism Difference of Sputtered HfO^2 between on Ge and on Si (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: Applied Physics Lstters 85(1) ページ: 52-54
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] IR Absorption Study of Hf^2 and Hf^2/Si Interface Ranging from 200cm^-^1 to 200cm^-^1 (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Tomida et al.
  • 雑誌名: Integration of Advanced Micro and Nanoelectronic Devices-Critical Issues and Solutions, MRS Symp. Proc. 811 ページ: 319-324
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Retarded Growth of Squtterfed HfO^2 films on Germanium (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: Integration of Advanced Micro and Nanoelectronic Devices-Critical Issues and Solutions, MRS Symp. Proc. 811 ページ: 169-174
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Materials Engineering for Hidh-k Gate Stack Technology (2004)
  • 著者名/発表者名: A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext. Abst. of 2004 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices-Science and Technology 2004 ページ: 3-4
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Sielectric Constant Increase of Yttium-Doped HfO^2 by Structural Phase Modification (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004 ページ: 794-795
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Advantages of Ge (111) Surface for High Quality Hf^2/Ge Interface" (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Toyama et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004 ページ: 226-227
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Far Infrared Study of Structural Distortion and Transfomation of Hf^2 by Introducing a Slight Amount Si (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Tomida et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004 ページ: 790-791
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Stable Observation of the Evolution of Leakage Spots in HfO^2/SiO^2 stacked structures (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kyuno et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004 ページ: 788-789
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Generalized Model of Oxidation Mechanism at Hf^2/Si Interface with Post-Deposition Annealing (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Shimizu et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004 ページ: 796-797
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Difference between O_2 and N_2 Annealing Effects on CVD-SiO_2 Film Quality Studied by Open-Circuit Measurement (2004)
  • 著者名/発表者名: K.kita et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004 ページ: 786-787
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Post-Deposition Annealing Effects on Interface States Generation in HfO^2/SiO^2/Si MOS Capacitors, (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Sasagawa et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 2004 ページ: 534-535
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO^2 through Structural Phase Transformation (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: 35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2004
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Ge及びSi基板上のHfO^2薄膜の初期成長過程の違い (2004)
  • 著者名/発表者名: 喜多浩之, 他
  • 雑誌名: 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性,第9回 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー文化会共催特別研究会 第9回 ページ: 259-264
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] HfO^2/Si界面とSi表面の酸化機構の違い (2004)
  • 著者名/発表者名: 清水悠佳, 他
  • 雑誌名: 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性,第9回 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー文化会共催特別研究会 第9回 ページ: 265-270
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Growth Mechanism Difference of Sputtered HfO_2 between on Ge and on Si (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 85(1) ページ: 52-54
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] IR Absorption Study of HfO_2 and HfO_2/Si Interface Ranging from 200cm^<-1> to 2000cm^<-1> (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Tomida, H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions, MRS Symp.Proc. 811 ページ: 319-324
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Retarded Growth of Sputtered HfO_2 films on Germanium (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions, MRS Symp.Proc. 811 ページ: 169-174
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Materials Engineering for High-k Gate Stack Technology (2004)
  • 著者名/発表者名: A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. of 2004 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices - Science and Technology (IWDTF) ページ: 3-4
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Dielectric Constant Increase of Yttrium-Doped HfO_2 by Structural Phase Modification (2004)
  • 著者名/発表者名: K Kita, K Kyuno, A Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM) ページ: 794-795
  • NAID: 10022540160
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Advantages of Ge (111) Surface for High Quality HfO_2/Ge Interface (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM) ページ: 226-227
  • NAID: 10022538299
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Far Infrared Study of Structural Distortion and Transformation of HfO_2 by Introducing a Slight Amount Si (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM) ページ: 790-791
  • NAID: 10022540150
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Stable Observation of the Evolution of Leakage Spots in HfO_2/SiO_2 Stacked Structures (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM) ページ: 788-789
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Generalized Model of Oxidation Mechanism at HfO_2/Si Interface with Post-Deposition Annealing (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM) ページ: 796-797
  • NAID: 10022540167
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Difference between O_2 and N_2 Annealing Effects on CVD-SiO_2 Film Quality Studied by Open-Circuit Measurement (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM) ページ: 786-787
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Post-Deposition Annealing Effects on Interface States Generation in HfO_2/SiO_2/Si MOS Capacitors (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM) ページ: 534-535
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO_2 through Structural Phase Transformation (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: 35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) LP-3
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Initial Growth Mechanism Difference between HfO_2 Films on Ge and Si Substrates (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, M.Sasagawa, M.Toyama, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 9th Workshop on Formation, Characterization and Reliability of Ultrathin Silicon Oxides ページ: 259-264
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Oxidation Mechanism at HfO_2/Si Interface (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Shimizu, K.Tomida, M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 9th Workshop on Formation, Characterization and Reliability of Ultrathin Silicon Oxides ページ: 265-270
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO_2 through Structural Phase Transformation (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 86(7)102906(2005).rface Specialists Conference (SISC) LP-3
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Stable Observation of the Evolution of Leakage Spots in HfO_2/SiO_2 stacked structures. (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kyuno et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials ページ: 788-789
• [雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO_2 through Structural Phase Transformation (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: 35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
• [雑誌論文] Far Infrared Study of Structural Distortion and Transformation of HfO_2 by Introducing a Slight Amount Si (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Tomida et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials ページ: 790-791
• [雑誌論文] Generalized Model of Oxidation Mechanism at HfO_2/Si Interface with Post-Deposition Annealing (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Shimizu et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials ページ: 796-797
• [雑誌論文] Growth mechanism difference of sputtered HfO_2 on Ge and on Si (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 85(1) ページ: 52-54
• [雑誌論文] New Method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films with Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement (2003)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics Pt.2, 42
  • NAID: 10011259919
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] A New CharacterizationTechnique for Depth-Dependent Dielectric Properties of High-k Films by Open-Circuit Potential Measurement, (2003)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: 2003 Int. Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, AIP Conf. Proc. 550 ページ: 166-170
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Oxidation-Induced Damages on Germanium MIS Capacitors with HfO^2 Gate Dielectrics, (2003)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials 2003 ページ: 292-293
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Interface Oxidation Mechanism in Hf^2/Silicon System with Post-Deposition Annealing (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Shimizu et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials 2003 ページ: 486-487
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Further EOT Scaling of Ge/HfO^2 over Si/HfO^2 MOS Systems (2003)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: Int. Workshop on Gate Insulator 2003 ページ: 186-191
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] New Method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films with Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement (2003)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 42,Pt.2(6B)
  • NAID: 10011259919
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] A New Characterization Technique for Depth-Dependent Dielectric Properties of High-k Films by Open-Circuit Potential Measurement (2003)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: 2003 Int. Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, AIP Conf.Proc. 550 ページ: 166-170
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Oxidation-Induced Damages on Germanium MIS Capacitors with HfO_2 Gate Dielectrics (2003)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, M.Sasagawa, K.Tomida, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst. 2003 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM) ページ: 292-293
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Interface Oxidation Mechanism in HfO_2/Silicon System with Post-Deposition Annealing (2003)
  • 著者名/発表者名: H.Shimizu, M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst.Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM) ページ: 486-487
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Further EOT Scaling of Ge/HfO_2 over Si/HfO_2 MOS Systems (2003)
  • 著者名/発表者名: K.Kita, M.Sasagawa, K.Tomida, M.Toyama, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Int. Workshop on Gate Insulator (IWGI) ページ: 186-191
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] New Method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films Using Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement (2002)
  • 著者名/発表者名: K.Kita et al.
  • 雑誌名: Extended Abstracts of 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials 2002 ページ: 66-67
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] New method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films Using Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement (2002)
  • 著者名/発表者名: K.Kita M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
  • 雑誌名: Ext.Abst.Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM) ページ: 66-67
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [産業財産権] 特許 (2005)
  • 発明者名: 鳥海明, 喜多浩之, 富田一行, 山本芳樹
  • 権利者名: 国立大学法人東京大学
  • 出願年月日: 2005-08-30
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [産業財産権] 特許 (2005)
  • 発明者名: 鳥海明 他3名
  • 権利者名: 国立大学法人東京大学
  • 出願年月日: 2005-08-30
• [産業財産権] 特許 (2004)
  • 発明者名: 鳥海明, 喜多浩之
  • 権利者名: 国立大学法人東京大学
  • 産業財産権番号: 2004-250393
  • 出願年月日: 2004-08-30
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [産業財産権] 半導体装置及びその製造方法 (2004)
  • 発明者名: 鳥海 明, 喜多 浩之
  • 権利者名: 国立大学法人東京大学
  • 産業財産権番号: 2004-250393
  • 出願年月日: 2004-08-30
• [文献書誌] K.Kita et al.: "Oxidation-induced Damages on Germanium MIS Capacitors with HfO2 Gate Dielectrics"Extended Abstracts of 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials. 292-293 (2003)
• [文献書誌] H.Shimizu: "Interface Oxidation Mechanism in HfO2/Silicon System with Post-Deposition Annealing"Extended Abstracts of 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials. 486-487 (2003)
• [文献書誌] K.Tomida et al.: "IR Absorption Study of HfO_2 and HfO_2/Si Interface Ranging from 200cm^<-1> to 2000cm^<-1>"Material Research Symposium Proceedings. (to be presented). (2004)
• [文献書誌] K.Kita et al.: "Retarded Growth of Sputtered HfO_2 Films on Germanium"Material Research Symposium Proceedings. (to be presented). (2004)
• [文献書誌] K.Kita et al.: "Further EOT Scaling of Ge/HfO_2 over Si/HfO_2 MOS Systems"Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator. 186-191 (2003)
• [文献書誌] K.Kita et al.: "New Method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films with Time-Dependent Open Circuit Potential Measurement"Jpn.J.Appl.Phys.. 42,No.6B. L631-L633 (2003)
• [文献書誌] K.Kita, Y.Osaka, K.Kyuno, S.Takagi, K.Takasaki, M.Kubota, Y.Shimamoto, A.Toriumi: "Graphical Approach to Sensitive Detection of Interface Defects in Thin Oxide MOS Capacitors"International Semiconductor Technology Conference 2002 Published in Proc. Volume ECS(2003). (2003)
• [文献書誌] K.Kita, M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi: "New Characterization Technique for Depth-Dependent Dielectric Properties of High-k Films by Open-Circuit Potential Measurement"Proc. International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology (Austin). (2003)
• [文献書誌] K.Kita, M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi: "New Method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films Using Time-dependent Open Circuit Potential Measurement"Ext. Abst. International Conference on Solid State Devices and Materials (Nagoya). 66-67 (2002)